[發(fā)明專利]基于動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911266276.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN110888483A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 弋敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 蘇州三英知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32412
• 代理人: 周仁青

1.一種基于動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述電子器件包括運(yùn)放第一級(jí)單元、動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償單元、運(yùn)放Class AB輸出級(jí)單元、及負(fù)載單元，所述運(yùn)放Class AB輸出級(jí)單元包括位于N通道中的NMOS管和位于P通道中的PMOS管，所述動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償單元包括位于N通道中且串聯(lián)設(shè)置的MOS管Ma及第一電容C1、及位于P通道中且串聯(lián)設(shè)置的MOS管Mb及第二電容C2，其中，MOS管Ma為PMOS管，MOS管Mb為NMOS管，所述NMOS管的源極與第一電容C1分別與基準(zhǔn)電位相連，NMOS管的柵極與MOS管Ma的源極相連，MOS管Ma的漏極與第一電容C1相連，所述PMOS管的源極與第二電容C2相連，PMOS管的柵極與MOS管Mb的源極相連，MOS管Mb的漏極與第二電容C2相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述MOS管Ma的柵極施加有柵極電壓Va，MOS管Mb的柵極施加有柵極電壓Vb，柵極電壓Va和Vb分別用于驅(qū)動(dòng)MOS管Ma和MOS管Mb。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償單元用于產(chǎn)生一個(gè)1/(2π*R1*C1)的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)進(jìn)行補(bǔ)償。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述基準(zhǔn)電位為GND電位。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述第一電容C1和第二電容C2還用于增強(qiáng)原有的零點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述負(fù)載單元中的負(fù)載電流為IL，負(fù)載還包括負(fù)載電容CL。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述運(yùn)放第一級(jí)單元用于對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大，其包括若干BJT晶體管、PMOS管及NMOS管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述運(yùn)放第一級(jí)單元包括若干與MOS管Ma及第一電容C1相連的NMOS管、及若干與MOS管Mb及第二電容C2相連的PMOS管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償電路的電子器件，其特征在于，所述電子器件為低壓差線性穩(wěn)壓器。