[發明專利]基于動態零點補償電路的電子器件

在審

• 申請號: 201911266276.3
• 申請日: 2019-12-11
• 公開（公告）號: CN110888483A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 弋敏
• 申請（專利權）人: 思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 周仁青

本發明揭示了一種基于動態零點補償電路的電子器件，所述電子器件包括運放第一級單元、動態零點補償單元、運放Class AB輸出級單元、及負載單元，所述運放Class AB輸出級單元包括位于N通道中的NMOS管和位于P通道中的PMOS管，所述動態零點補償單元包括位于N通道中且串聯設置的MOS管Ma及第一電容C1、及位于P通道中且串聯設置的MOS管Mb及第二電容C2，其中，MOS管Ma為PMOS管，MOS管Mb為NMOS管，所述NMOS管的源極與第一電容C1分別與基準電位相連。本發明通過優化動態零點補償電路，對MOS管和電容進行優化，可有效避免寄生電容產生的極點問題，同時可增強原有的零點，且輸出大電流時不會產生額外的功耗；電路結構簡單，降低了整體電路的復雜度，減小了電路成本。

技術領域

本發明屬于電路技術領域，具體涉及一種基于動態零點補償電路的電子器件。

背景技術

參圖1所示為現有技術中電子器件的電路圖，該電子器件為class AB輸出，其包括運放第一級單元10’、動態零點補償單元20’、運放Class AB輸出級單元30’、負載單元40’，其中，運放Class AB輸出級單元30’包括位于N通道中的MOS管M13和位于P通道中的MOS管M14，M13為NMOS管，M14為PMOS管。動態零點補償單元20’與MOS管M13和MOS管M14相連，MOS管Ma為NMOS管，R1為Ma導通時的電阻，電容C1與MOS管M13的柵極相連，MOS管Ma的源極與MOS管M13的源極相連，且MOS管M13的源極接地，MOS管Mb為PMOS管，R2為Mb導通時的電阻，電容C2與MOS管M14的柵極相連，MOS管Mb的源極與MOS管M14的源極相連。

現有技術中動態零點補償單元通過檢測N通道和P通道的電流，使Ma導通電阻產生對應R1，產生一個1/(2π*R1*C1)動態零點對LDO進行補償。然而，該補償具有下述缺點：

(1)一般情況下各種類型的電容到地都會寄生電容，甚至有的寄生電容可以達到自身容值的1/3，由于電容C1和C2沒有直接連接到地，C1的上下級板到地的寄生電容和R1會產生一個極點，那么該極點會影響動態零點的補償效果；

(2)由于通過鏡像的方式產生動態零點，當輸出有大電流時，自身的功耗將會增加。

因此，針對上述技術問題，有必要提供一種基于動態零點補償電路的電子器件。

發明內容

本發明的目的在于提供一種基于動態零點補償電路的電子器件，以解決補償電容中產生的寄生電容產生極點的問題。

為了實現上述目的，本發明一實施例提供的技術方案如下：

一種基于動態零點補償電路的電子器件，所述電子器件包括運放第一級單元、動態零點補償單元、運放Class AB輸出級單元、及負載單元，所述運放Class AB輸出級單元包括位于N通道中的NMOS管和位于P通道中的PMOS管，所述動態零點補償單元包括位于N通道中且串聯設置的MOS管Ma及第一電容C1、及位于P通道中且串聯設置的MOS管Mb及第二電容C2，其中，MOS管Ma為PMOS管，MOS管Mb為NMOS管，所述NMOS管的源極與第一電容C1分別與基準電位相連，NMOS管的柵極與MOS管Ma的源極相連，MOS管Ma的漏極與第一電容C1相連，所述PMOS管的源極與第二電容C2相連，PMOS管的柵極與MOS管Mb的源極相連，MOS管Mb的漏極與第二電容C2相連。

一實施例中，所述MOS管Ma的柵極施加有柵極電壓Va，MOS管Mb的柵極施加有柵極電壓Vb，柵極電壓Va和Vb分別用于驅動MOS管Ma和MOS管Mb。

一實施例中，所述動態零點補償單元用于產生一個1/(2π*R1*C1)的動態零點進行補償。

一實施例中，所述基準電位為GND電位。

一實施例中，所述第一電容C1和第二電容C2還用于增強原有的零點。