[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201911259040.7 | 申請日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN111326551A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 文炳俊;李昇眩 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/66;G09G3/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;楊林森 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
提供了有機發光二極管顯示裝置及其制造方法。有機發光二極管顯示裝置包括:基板;在基板上的多個驅動元件和多個發光二極管;以及在基板上的至少一個偽圖案,所述至少一個偽圖案包括第一電極、偽層和第二電極,其中第一電極和偽層彼此電分離。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2018年12月17日提交于韓國的韓國專利申請第10-2018-0163437號的優先權權益,通過引用,該專利申請的全部內容并入本文以用于所有的目的,如同在本文中完全闡述一樣。
技術領域
本公開內容涉及有機發光二極管顯示裝置,并且更具體地,涉及其中發光層的布置方面的制造穩定性得到改善的有機發光二極管顯示裝置以及制造該有機發光二極管顯示裝置的方法。
背景技術
有機發光二極管(OLED)顯示裝置是發射型顯示裝置。因為OLED顯示裝置不包括單獨的光源,所以OLED顯示裝置具有不同于液晶顯示(LCD)裝置的輕的重量和薄的輪廓。此外,由于低電壓驅動、優異的顏色再現性、響應速度和對比度,OLED顯示裝置具有功耗方面的優勢。因此,OLED顯示裝置已經被作為下一代顯示裝置進行研究。
因為OLED顯示裝置包括多個像素并且由于電子和空穴被注入至每個像素中的發光層中而發射光,所以需要施加至OLED裝置的電流的均勻供應。OLED顯示裝置的每個像素包括彼此交叉的數據線和柵極線、連接至數據線和柵極線的驅動元件、以及發光元件。與具有非晶硅的半導體層的非晶TFT相比具有更快的電子遷移率并且與具有多晶硅的半導體層的多晶硅TFT相比具有更簡單的制造過程和更低的制造成本的具有氧化物半導體的半導體層的氧化物薄膜晶體管(TFT)已經被作為驅動元件廣泛研究。
可以通過真空蒸發方法、激光轉移方法、熱轉移方法、絲網印刷方法和噴墨印刷方法來布置發光層。噴墨印刷方法已經被廣泛研究。例如,與其中氣態化合物在真空狀態下反應的真空蒸發方法相比,其中與將墨噴射在紙上類似的將等于或小于幾十皮升(10-12升)的有機材料溶液進行噴射以布置發光層的噴墨印刷方法具有更高的材料效率。然而,在布置過程期間,在布置位置的精確控制和布置量的精細調節方面存在困難。
發明內容
因此,本公開內容的實施方式涉及基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而引起的問題中的一個或更多個問題的有機發光二極管顯示裝置以及制造該有機發光二極管顯示裝置的方法。
本公開內容的一個方面是提供一種有機發光二極管顯示裝置以及制造該有機發光二極管顯示裝置的方法,在該有機發光二極管顯示裝置中發光層的沉積過程期間的沉積位置的誤差被最小化或減少。
本公開內容的另一方面是提供一種有機發光二極管顯示裝置以及制造該有機發光二極管顯示裝置的方法,在該有機發光二極管顯示裝置中發光層的沉積過程期間的發光層的沉積范圍的誤差被最小化或減少。
本發明的附加特征和優點將在下面的描述中進行闡述,并且將部分地根據描述而變得明顯,或者可以通過本發明的實踐來了解。本發明的這些優點和其他優點將通過在書面描述和其權利要求以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些優點和其他優點,并且根據本公開內容的目的,如本文所體現和廣泛描述的,一種有機發光二極管顯示裝置包括:基板;在基板上的多個驅動元件和多個發光二極管;以及在基板上的至少一個偽圖案(dummy pattern),所述至少一個偽圖案包括第一電極、偽層和第二電極,其中,第一電極和偽層彼此電分離。
在另一方面中,一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法包括:將驅動元件、發光二極管和至少一個偽圖案布置在基板上,該至少一個偽圖案包括第一電極、偽層以及在第一電極和偽層上的第二電極;并且檢測發光二極管的布置狀態,其中,檢測發光二極管的布置狀態包括通過向所述至少一個偽圖案的第一電極和第二電極施加電流來根據從所述至少一個偽圖案的光發射來檢測誤差。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





