[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201911259040.7 | 申請日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN111326551A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 文炳俊;李昇眩 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/66;G09G3/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;楊林森 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,包括:
基板;
在所述基板上的多個驅動元件和多個發光二極管;以及
在所述基板上的至少一個偽圖案,所述至少一個偽圖案包括第一電極、偽層和第二電極,
其中,所述第一電極和所述偽層彼此電分離。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述基板包括:具有所述多個驅動元件和所述多個發光二極管的顯示區域;以及圍繞所述顯示區域并且具有所述偽圖案的非顯示區域。
3.根據權利要求1所述的裝置,還包括連接至所述第一電極和所述第二電極的檢查焊盤。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一電極和所述偽層在平面圖中是彼此分離的。
5.根據權利要求4所述的裝置,其中,所述第一電極包括第一開口,并且所述偽層布置在所述第一開口中。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述偽圖案還包括在所述第一電極與所述第二電極之間的絕緣層。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中,所述絕緣層具有第二開口,并且所述偽層位于所述第二開口中。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中,所述第一電極中限定有第一開口,并且所述偽層位于所述第一開口中。
9.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述發光二極管包括有機發光材料。
10.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述偽層包括有機發光材料。
11.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述基板具有在所述基板中限定的多個像素,使得每個像素中布置有所述多個驅動元件中的至少一個驅動元件和所述多個發光二極管中的至少一個發光二極管。
12.一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法,包括:
將驅動元件、發光二極管和至少一個偽圖案布置在基板上,所述至少一個偽圖案包括第一電極、偽層以及在所述第一電極和所述偽層上的第二電極;并且
檢測所述發光二極管的布置狀態,
其中,檢測所述發光二極管的布置狀態包括通過向所述至少一個偽圖案的所述第一電極和所述第二電極施加電流來根據從所述至少一個偽圖案的光發射來檢測誤差。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,所述至少一個偽圖案包括多個偽圖案,并且
其中,根據從所述至少一個偽圖案的光發射來檢測誤差包括根據從所述多個偽圖案的光發射來判斷誤差方向和誤差程度。
14.根據權利要求12所述的方法,其中,所述基板包括:具有所述驅動元件和所述發光二極管的顯示區域;以及圍繞所述顯示區域并且具有所述至少一個偽圖案的非顯示區域。
15.根據權利要求12所述的方法,其中,所述有機發光二極管顯示裝置還包括連接至所述第一電極和所述第二電極的檢查焊盤,所述電流被從所述檢查焊盤施加至所述第一電極和所述第二電極。
16.根據權利要求12所述的方法,其中,所述至少一個偽圖案還包括在所述第一電極與所述第二電極之間的絕緣層。
17.根據權利要求16所述的方法,其中,所述絕緣層具有第二開口,并且所述偽層位于所述第二開口中。
18.根據權利要求17所述的方法,其中,所述第一電極中限定有第一開口,并且所述偽層位于所述第一開口中。
19.根據權利要求12所述的方法,其中,所述偽層包括有機發光材料。
20.根據權利要求12所述的方法,其中,所述第一電極和所述偽層在平面圖中是彼此分離的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911259040.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





