[發(fā)明專利]鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911254904.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111063814A | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 段淼;李佳育;徐君哲;尹勇明;吳永偉;江沛;何波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠(yuǎn)明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 發(fā)光 器件 及其 制備 方法 顯示器 | ||
本申請(qǐng)公開了鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示器,該鈣鈦礦發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的第一注入層、第一傳輸層、發(fā)光層、第二傳輸層和第二注入層,第一注入層包括氧化銦錫,第二注入層包括碳納米管,發(fā)光層包括鹵化物鈣鈦礦,其中,發(fā)光層的出光同時(shí)從第一注入層和第二注入層射出。本申請(qǐng)的鈣鈦礦發(fā)光器件能夠穩(wěn)定地雙面出光。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及鈣鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示器。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管是當(dāng)前發(fā)光與顯示領(lǐng)域最熱門的材料與技術(shù)。隨著科技的進(jìn)步,透明顯示技術(shù)成為未來顯示的發(fā)展趨勢(shì),因此對(duì)發(fā)光二極管的色純度、亮度、發(fā)光效率等性能參數(shù)有更高的需求。
在目前透明顯示技術(shù)范疇內(nèi)被提及最多的當(dāng)屬有機(jī)發(fā)光二極管,基于有機(jī)發(fā)光二極管的透明顯示技術(shù)發(fā)展十分迅速,成為研究的熱點(diǎn)。但有機(jī)發(fā)光二極管使用的是有機(jī)材料,因此色純度不高,其純色需要彩色過濾器才能產(chǎn)生。
因此,制備出色純度高的透明發(fā)光二極管是目前面臨的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┝蒜}鈦礦發(fā)光器件及其制備方法、顯示器,以解決現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管色純度不高的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種鈣鈦礦發(fā)光器件,該鈣鈦礦發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的第一注入層、第一傳輸層、發(fā)光層、第二傳輸層和第二注入層,第一注入層包括氧化銦錫,第二注入層包括碳納米管,發(fā)光層包括鹵化物鈣鈦礦,其中,發(fā)光層的出光同時(shí)從第一注入層和第二注入層射出。
為解決上述技術(shù)問題,本申請(qǐng)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種鈣鈦礦發(fā)光器件的制備方法,該制備方法包括通過磁控濺射在基板上鋪設(shè)氧化銦錫以得到第一注入層;在第一注入層上設(shè)置第一傳輸層;通過旋涂的方式將鹵化物鈣鈦礦設(shè)置在第一傳輸層以得到發(fā)光層;在發(fā)光層上設(shè)置第二傳輸層;將碳納米管油墨滴在第二傳輸層上形成第二注入層,從而得到鈣鈦礦發(fā)光器件,其中,發(fā)光層的出光同時(shí)從第一注入層和第二注入層射出。
為解決上述技術(shù)問題,本申請(qǐng)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示器,該顯示器包括上述的鈣鈦礦發(fā)光器件。
本申請(qǐng)的有益效果為:本申請(qǐng)用具有透明和導(dǎo)電的特性的氧化銦錫作為第一注入層,用碳納米管作為第二注入層,碳納米管本身具有很好的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性,把碳納米管涂布于第二傳輸層上時(shí),會(huì)形成導(dǎo)電網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。其中,不同的碳納米管相交錯(cuò)搭接,使得電子不僅能夠沿著碳納米管自身方向輸運(yùn),而且可以通過接觸位點(diǎn)傳輸?shù)狡渌奶技{米管上,進(jìn)而使得電子的運(yùn)動(dòng)貫穿于整個(gè)碳納米管網(wǎng)格中,以實(shí)現(xiàn)電極良好的導(dǎo)電性,而不同碳納米管之間的孔洞則可以讓光通過,從而實(shí)現(xiàn)透光功能。另外,以鹵化物鈣鈦礦作為發(fā)光層,鹵化物鈣鈦礦材料具有較高的熒光量子效率、光學(xué)帶隙可調(diào)、色彩純度高等性質(zhì),這樣制作出來的發(fā)光層出色純度高。發(fā)光層的出光同時(shí)從第一注入層和第二注入層射出,從而實(shí)現(xiàn)雙面發(fā)光的效果。
附圖說明
圖1是本申請(qǐng)?zhí)峁┑拟}鈦礦發(fā)光器件的一實(shí)施例的截面示意圖;
圖2是本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶技{米管導(dǎo)電網(wǎng)格的一實(shí)施例的示意圖;
圖3是本申請(qǐng)?zhí)峁┑拟}鈦礦發(fā)光器件的制備方法的一實(shí)施例的流程示意圖;
圖4是本申請(qǐng)?zhí)峁┑拟}鈦礦發(fā)光器件的制備方法的一實(shí)施例的流程示意圖;
圖5是本申請(qǐng)?zhí)峁┑娘@示器的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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