[發明專利]鈣鈦礦發光器件及其制備方法、顯示器在審
| 申請號: | 201911254904.6 | 申請日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN111063814A | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發明(設計)人: | 段淼;李佳育;徐君哲;尹勇明;吳永偉;江沛;何波 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈣鈦礦 發光 器件 及其 制備 方法 顯示器 | ||
1.一種鈣鈦礦發光器件,其特征在于,所述鈣鈦礦發光器件包括依次層疊設置的第一注入層、第一傳輸層、發光層、第二傳輸層和第二注入層,所述第一注入層包括氧化銦錫,所述第二注入層包括碳納米管,所述發光層包括鹵化物鈣鈦礦,其中,所述發光層的出光同時從所述第一注入層和所述第二注入層射出。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦發光器件,其特征在于,所述第一注入層用于接收電子的注入,所述第一傳輸層用于將電子傳輸至所述發光層,所述第二注入層用于接收空穴的注入,所述第二傳輸層用于將空穴傳輸至所述發光層。
3.根據權利要求2所述的鈣鈦礦發光器件,其特征在于,所述第一傳輸層包括二氧化錫,所述二氧化錫用于將電子傳輸至所述發光層。
4.根據權利要求2所述的鈣鈦礦發光器件,其特征在于,所述第一注入層還包括設置在所述氧化銦錫上的脂肪胺,所述脂肪胺用于修飾所述氧化銦錫,以降低所述氧化銦錫的功函數。
5.根據權利要求2所述的鈣鈦礦發光器件,其特征在于,所述第二傳輸層包括聚甲基丙烯酸甲酯,所述聚甲基丙烯酸甲酯用于將空穴傳輸至所述發光層。
6.一種鈣鈦礦發光器件的制備方法,其特征在于,
通過磁控濺射在基板上鋪設氧化銦錫以得到第一注入層;
在所述第一注入層上設置第一傳輸層;
通過旋涂的方式將鹵化物鈣鈦礦設置在所述第一傳輸層以得到發光層;
在所述發光層上設置第二傳輸層;
將碳納米管油墨滴在所述第二傳輸層上形成第二注入層,從而得到所述鈣鈦礦發光器件,其中,所述發光層的出光同時從所述第一注入層和所述第二注入層射出。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述第一注入層用于接收電子的注入,所述第一傳輸層用于將電子傳輸至所述發光層,所述第二注入層用于接收空穴的注入,所述第二傳輸層用于將空穴傳輸至所述發光層。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,
所述在所述第一注入層上設置第一傳輸層的步驟,包括:在所述第一注入層上旋涂二氧化錫溶液;將所述基板轉移到熱臺上退火處理得到第一傳輸層;
所述通過旋涂的方式將鹵化物鈣鈦礦設置在所述第一傳輸層以得到發光層的步驟,包括:在所述第一傳輸層上旋涂鹵化物鈣鈦礦溶液;向所述第一傳輸層上滴加反溶劑氯苯;將所述基板轉移到熱臺上退火處理得到發光層;
所述在所述發光層上設置第二傳輸層的步驟,包括:在所述發光層上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液;將所述基板轉移到熱臺上退火處理得到第二傳輸層。
9.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,
所述通過磁控濺射在基板上鋪設氧化銦錫以得到第一注入層的步驟,包括:通過磁控濺射在基板上鋪設氧化銦錫;在所述氧化銦錫上鋪設脂肪胺以得到第一注入層。
10.一種顯示器,其特征在于,所述顯示器包括權利要求1至5任一項所述的鈣鈦礦發光器件。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





