[發明專利]一種增加電感量的電感制程方法及電感結構

有效

• 申請號: 201911252953.6
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN111129305B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 黃光偉;李立中;陳智廣;吳淑芳;林偉銘
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H10N97/00
• 分類號: H10N97/00
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;張忠波

1.一種增加電感量的電感制程方法，其特征在于，包括以下步驟：

沉積氮化物于晶圓正面，形成正面氮化物層，蝕刻正面氮化物層并在被蝕刻部分制作正面金屬層；

在晶圓背面涂布第一光阻層，并于待蝕刻孔洞處顯影；

以第一光阻層為掩膜，蝕刻晶圓，至正面氮化物層，去除第一光阻層，并于晶圓背面進行濺鍍金屬；

涂布第二光阻層于晶圓背面，將待沉積金屬中的第二光阻層顯影去除，并沉積金屬，于靠近正面氮化物層處形成第一接觸端，于孔洞處形成第三接觸端，并去除第二光阻層；

涂布第三光阻層于晶圓背面，將待沉積金屬中的第三光阻層顯影去除，并沉積金屬，于靠近正面氮化物層處形成第二接觸端，于孔洞處形成第四接觸端，并去除第三光阻層；所述第一接觸端與第二接觸端形成斷路形貌；

通過第一接觸端和第二接觸端的斷路開口處蝕刻濺鍍金屬到正面氮化物層，晶圓背面的沉積金屬與正面金屬層連接形成電感結構；

“蝕刻正面氮化物層并在被蝕刻部分制作正面金屬層”包括步驟：

在正面氮化物層上涂布第四光阻層，對準顯影形成凹槽；

以第四光阻層為掩膜，蝕刻氮化物層，使所述第一接觸端與第二接觸端暴露于蝕刻槽底部；

沉積金屬，完成正面導線布設；

所述孔洞為多個，多個孔洞為相互平行的兩排，兩排之間相鄰的孔洞的第一接觸端與第二接觸端依次連接，兩排之間相鄰的孔洞的第三接觸端與第三接觸端連接以及第四接觸端與第四接觸端連接。

2.根據權利要求1所述的一種增加電感量的電感制程方法，其特征在于，所述氮化物為氮化硅。

3.根據權利要求1所述的一種增加電感量的電感制程方法，其特征在于，在晶圓背面涂布第一光阻層之前還包括步驟：

對晶圓背面減薄。

4.一種增加Q值和電感量的電感結構，其特征在于，由權利要求1到3任意一項所述的一種增加電感量的電感制程方法制得。