[發(fā)明專利]一種增加電感量的電感制程方法及電感結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911252953.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-09
• 公開（公告）號(hào): CN111129305B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃光偉;李立中;陳智廣;吳淑芳;林偉銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省福聯(lián)集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H10N97/00
• 分類號(hào): H10N97/00
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;張忠波

本發(fā)明公開一種增加電感量的電感制程方法，其中方法包括如下步驟：沉積氮化物于晶圓正面，形成正面氮化物層蝕刻正面氮化物層并在被蝕刻部分制作正面金屬層；在晶圓背面涂布第一光阻層，蝕刻晶圓，去除第一光阻層，并于晶圓背面進(jìn)行濺鍍金屬；涂布第二光阻層于晶圓背面，并沉積金屬。涂布第三光阻層于晶圓背面，并沉積金屬；最后通過第一接觸端和第二接觸端的斷路開口處蝕刻濺鍍金屬到正面氮化物層，使晶圓背面的沉積金屬與正面金屬層連接形成電感結(jié)構(gòu)。上述發(fā)明通過在蝕刻孔數(shù)不變，以及金屬用量不增反減的情況下，使繞組匝數(shù)增加，電路能提供更大的電感量和更充沛的電能，同時(shí)獲得更高的品質(zhì)因數(shù)Q。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片領(lǐng)域，尤其涉及一種增加電感量的電感制程方法及電感結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

電感在半導(dǎo)體電路制造中有著重要的地位，而現(xiàn)如今隨著社會(huì)的進(jìn)步眾多領(lǐng)域都離不開半導(dǎo)體電路。例如當(dāng)下的5G無線通信、GPS這些對(duì)高性能射頻電路、無源器件的要求也越來越高，其中電感的Q(品質(zhì)因數(shù))值對(duì)高性能射頻電路的性能有著重要影響，Q(品質(zhì)因數(shù))值越大電感值越高，這也就意味著性能越好。目前半導(dǎo)體電路電感采用的主要是平面螺旋電感和垂直電感。傳統(tǒng)的平面電感結(jié)構(gòu)雖然可得到較高的電感值，但是其品質(zhì)因素較低，并導(dǎo)致導(dǎo)線的延長及電路版圖設(shè)計(jì)的困難，不利于集成化。而垂直電感，兩個(gè)蝕刻孔才完成電感的一匝匝數(shù)，空間利用率低，金屬導(dǎo)線利用率不高，不利于集成化。

發(fā)明內(nèi)容

為此，需要提供一種增加電感量的電感制程方法及電感結(jié)構(gòu)解決現(xiàn)有垂直電感，空間利用率低，金屬導(dǎo)線利用率不高，不利于集成化的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，發(fā)明人提供了一種增加電感量的電感制程方法，包括以下步驟：

沉積氮化物于晶圓正面，形成正面氮化物層，蝕刻正面氮化物層并在被蝕刻部分制作正面金屬層；

在晶圓背面涂布第一光阻層，并于待蝕刻孔洞處顯影；

以第一光阻層為掩膜，蝕刻晶圓，至正面氮化物層，去除第一光阻層，并于晶圓背面進(jìn)行濺鍍金屬；

涂布第二光阻層于晶圓背面，將待沉積金屬中的第二光阻層顯影去除，并沉積金屬，于靠近正面氮化物層處形成第一接觸端，于孔洞處形成第三接觸端，并去除第二光阻層；

涂布第三光阻層于晶圓背面，將待沉積金屬中的第三光阻層顯影去除，并沉積金屬，于靠近正面氮化物層處形成第二接觸端，于孔洞處形成第四接觸端，并去除第三光阻層；所述第一接觸端與第二接觸端形成斷路形貌；

通過第一接觸端和第二接觸端的斷路開口處蝕刻濺鍍金屬到正面氮化物層，晶圓背面的沉積金屬與正面金屬層連接形成電感結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，“蝕刻正面氮化物層并在被蝕刻部分制作正面金屬層”包括步驟：

在正面氮化物層上涂布第四光阻層，對(duì)準(zhǔn)顯影形成凹槽；

以第四光阻層為掩膜，蝕刻氮化物層，使所述第一接觸端與第二接觸端暴露于蝕刻槽底部；

沉積金屬，完成正面導(dǎo)線布設(shè)。

進(jìn)一步地，所述孔洞為多個(gè)，多個(gè)孔洞為相互平行的兩排，兩排之間相鄰的孔洞的第一接觸端與第二接觸端依次連接，兩排之間相鄰的孔洞的第三接觸端與第三接觸端連接以及第四接觸端與第四接觸端連接。

進(jìn)一步地，所述氮化物為氮化硅。

進(jìn)一步地，在晶圓背面涂布第一光阻層之前還包括步驟：

對(duì)晶圓背面減薄。

本發(fā)明提供一種增加Q值和電感量的電感結(jié)構(gòu)，所述增加Q值和電感量的電感結(jié)構(gòu)由本發(fā)明實(shí)施例任意一項(xiàng)所述一種增加電感量的電感制程方法制得。