[發(fā)明專利]一種液相中脈沖激光輻照調(diào)控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911250637.5 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN111003724B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁長浩;呂佳麗;田振飛;葉一星;劉俊 | 申請(專利權(quán))人: | 中科院合肥技術(shù)創(chuàng)新工程院 |
| 主分類號: | C01F17/235 | 分類號: | C01F17/235;B01J23/10;B01J37/34;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260 | 代理人: | 鄭立明;李闖 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 相中 脈沖 激光 輻照 調(diào)控 氧化 納米 材料 缺陷 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種液相中脈沖激光輻照調(diào)控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法,將CeO2納米片粉末分散在溶劑中,配制成1mg/mL的懸濁液;所述溶劑采用水、甲醇、乙醇或丙酮中的至少一種;在對所述懸濁液進行攪拌的同時,采用波長為355nm或532nm、脈沖頻率為20Hz、單脈沖能量為10~120mJ的脈沖激光對所述懸濁液輻照5~60min,然后進行離心處理,并采用去離子水對離心處理所得沉淀進行清洗,再進行冷凍干燥,從而制得氧缺陷減少的二氧化鈰納米材料。本發(fā)明不僅簡單安全、條件溫和、調(diào)控過程高效快速、綠色環(huán)保,而且不會引入其他雜質(zhì),能夠獲得純凈、高性能、氧缺陷減少的CeO2?x納米材料。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及二氧化鈰納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種液相中脈沖激光輻照調(diào)控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法。
背景技術(shù)
CeO2是一種重要的稀土氧化物,因其特殊的電子結(jié)構(gòu)和獨特的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于催化、磁學(xué)、光學(xué)、電化學(xué)等技術(shù)領(lǐng)域。Ce的電子結(jié)構(gòu)為4f15d16s2,能夠發(fā)生5d、6s(三個電子)或4f、5d、6s(四個電子)軌道電子的缺失,因此CeO2中Ce原子能夠以Ce3+和Ce4+兩種價態(tài)穩(wěn)定存在,并可以根據(jù)處理條件(氧分壓和氧化還原環(huán)境)的不同發(fā)生Ce3+和Ce4+間的相互轉(zhuǎn)變,進而造成了CeO2中氧缺陷的生成和消失,氧缺陷的主要表現(xiàn)形式為氧空位。在缺氧環(huán)境下,CeO2將向周圍環(huán)境釋放氧,在CeO2尤其是其表面形成大量的氧空位;而在富氧環(huán)境下,具有大量氧空位的CeO2將吸附周圍環(huán)境中的氧,通過減少氧空位的形式實現(xiàn)儲存氧。CeO2中,氧空位的濃度、類型和分布對CeO2的性能具有重要的影響。以CeO2負載過渡金屬團簇體系的催化反應(yīng)為例,CeO2中的氧缺陷不僅可以作為過渡金屬團簇的成核位點,而且氧缺陷的濃度變化還可以有效調(diào)節(jié)過渡金屬團簇的形成過程以及電子結(jié)構(gòu),從而極大地提高其催化性能。
目前,調(diào)控CeO2氧缺陷的主要方法有高溫氧化還原、形貌控制和金屬離子摻雜。高溫氧化還原是指在高溫真空、惰性氣氛或中溫還原性氣氛條件下對CeO2進行退火處理,誘導(dǎo)產(chǎn)生氧空位。由于Ce3+的氧化速率遠大于Ce4+的還原速率,而CeO2還原的決速步來自于其中的氧擴散,即氧空位的性質(zhì)控制,因此控制還原CeO2可高效地實現(xiàn)其氧空位的調(diào)變。形貌控制誘導(dǎo)產(chǎn)生氧缺陷的原理在于:由于不同晶面原子配位數(shù)的差異,CeO2中(111)晶面(110)晶面(100)晶面氧原子的穩(wěn)定性依次遞減,因此,以(100)和(110)為主要暴露晶面的CeO2更容易析出氧原子形成氧空位。此外,金屬陽離子摻雜也是調(diào)變CeO2的有效手段。金屬離子摻雜產(chǎn)生氧缺陷的途徑有兩種,一種是由于摻雜離子與Ce4+原子的半徑和價態(tài)差異導(dǎo)致CeO2晶格畸變產(chǎn)生表面缺陷;另一種是由于Ce4+被其它低價態(tài)離子取代時,為了保持材料體系的電中性,氧原子將會從CeO2中晶格脫出,形成氧空位。上述調(diào)控CeO2氧缺陷的方法或使用高溫條件,或使用易爆炸的還原氣體,存在高能耗和高危險性等缺點,而且不可避免地引入雜質(zhì)和副產(chǎn)物,不利于純凈、高性能地調(diào)控二氧化鈰納米材料的氧缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足之處,本發(fā)明提供了一種液相中脈沖激光輻照調(diào)控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法,不僅簡單安全、條件溫和、調(diào)控過程高效快速、綠色環(huán)保,而且不會引入其他雜質(zhì),能夠獲得純凈、高性能、氧缺陷減少的CeO2-x納米材料。
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