[發明專利]一種液相中脈沖激光輻照調控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法有效
| 申請號： | 201911250637.5 | 申請日： | 2019-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN111003724B | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發明（設計）人： | 梁長浩;呂佳麗;田振飛;葉一星;劉俊 | 申請（專利權）人： | 中科院合肥技術創新工程院 |
| 主分類號： | C01F17/235 | 分類號： | C01F17/235;B01J23/10;B01J37/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;李闖 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相中 脈沖 激光 輻照 調控 氧化 納米 材料 缺陷 方法 | ||
1.一種液相中脈沖激光輻照調控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、將CeO2納米片粉末分散在溶劑中，配制成1mg/mL的懸濁液；
其中，所述溶劑采用水、甲醇、乙醇或丙酮中的至少一種；
步驟2、在對所述懸濁液進行攪拌的同時，采用波長為355nm或532nm、脈沖頻率為20Hz、單脈沖能量為10～120mJ的脈沖激光對所述懸濁液輻照5～60min，然后進行離心處理，并采用去離子水對離心處理所得沉淀進行清洗，再進行冷凍干燥，從而制得氧缺陷減少的二氧化鈰納米材料；
調節不同步驟1中所述溶劑以制備出具有不同尺寸的氧缺陷減少的CeO2-x納米材料。
2.根據權利要求1所述的液相中脈沖激光輻照調控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法，其特征在于，所述CeO2納米片粉末的尺寸為5nm～2μm。
3.根據權利要求1或2所述的液相中脈沖激光輻照調控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法，其特征在于，所述的脈沖激光是采用Nd:YAG納秒脈沖激光器發出的納秒平行脈沖激光。
4.根據權利要求1或2所述的液相中脈沖激光輻照調控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法，其特征在于，所述的攪拌采用磁力攪拌，并且磁力攪拌速度為200～800r/min。
5.根據權利要求1或2所述的液相中脈沖激光輻照調控二氧化鈰納米材料氧缺陷的方法，其特征在于，所述離心處理的轉速為8000～140000r/min。
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