[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201911248940.1
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN111755425A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 金承默
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

本申請提供一種半導體器件及其制造方法。一種電容器包括：多個底部電極；電介質層，其形成在底部電極之上；以及頂部電極，其形成在電介質層之上，其中，頂部電極包括填充在底部電極之間的間隙的含碳材料和含鍺材料。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年3月29日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2019-0037085的韓國專利申請的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本發明的各個實施例總體上涉及一種半導體器件，并且更具體地，涉及一種包括電容器的半導體器件以及一種用于制造該半導體器件的方法。

背景技術

為了制造高度集成的半導體器件，需要在有限面積內的具有足夠電容的電容器。電容器的電容與電極的表面積和電介質材料的介電常數成正比，而與電介質材料的等效氧化物層的厚度成反比。用于增大在有限面積內的電容器的電容的方法可以包括通過形成三維結構的電容器來增大電極的表面積、減小電介質材料的等效氧化物層的厚度或使用高k材料。

發明內容

本發明的實施例涉及一種用于半導體器件的改進的電容器和制造該電容器的方法以及包括該電容器的半導體器件。該電容器可以呈現出改善的可靠性。

根據本發明的一個實施例，一種電容器包括：多個底部電極；電介質層，其形成在所述底部電極之上；以及頂部電極，其形成在所述電介質層之上，其中，所述頂部電極包括填充所述底部電極之間的間隙的含碳材料和含鍺材料。

根據本發明的另一實施例，一種形成電容器的方法包括：形成多個底部電極；形成電介質層，所述電介質層形成在所述底部電極之上；在所述電介質層之上形成頂部電極，所述頂部電極包括填充所述底部電極之間的間隙的含碳材料和含鍺材料。

通過以下結合附圖對實施例的詳細描述，將更好地理解本發明的這些特征和其他特征以及優點。

附圖說明

圖1是示出根據本發明的一實施例的半導體器件的截面圖。

圖2是示出根據本發明的另一實施例的半導體器件的截面圖。

圖3A至圖3C是示出根據本發明的另一實施例的半導體器件的截面圖。

圖4A至圖4I是示出根據本發明的一實施例的制造半導體器件的方法的截面圖。

圖5至圖7是示出根據本發明的其他實施例的半導體器件的截面圖。

具體實施方式

下面將參考附圖更詳細地描述本發明的各種實施例。然而，本發明可以以不同的形式實施，并且不應被解釋為限于本文中所闡述的實施例。相反，提供這些實施例以使得本公開將是透徹和完整的，并將向本領域技術人員充分傳達本發明的范圍。貫穿本公開，在本發明的各個附圖和實施例中，相同的附圖標記指代相同的部分。注意，對“一實施例”、“另一實施例”等的引用不一定意味著僅一個實施例，并且對任何這樣的短語的不同引用不一定針對相同的實施例。

附圖不一定按比例繪制，并且在某些情況下，比例可能已被夸大以便清楚地示出實施例的特征。當第一層被稱為在第二層“上”或在襯底“上”時，不僅指第一層直接形成在第二層或襯底上的情況，而且還指在第一層與第二層或襯底之間存在第三層的情況。

將理解，盡管在本文中使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件，但是這些元件不受這些術語的限制。這些術語用于將一個元件與另一元件區分開。因此，下面描述的第一元件也可以被稱為第二元件或第三元件，而不脫離本發明的精神和范圍。