[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911248940.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111755425A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金承默
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/64
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/64;H01L27/08
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮?lèi)?ài)青

1.一種電容器，包括：

多個(gè)底部電極；

電介質(zhì)層，其形成在所述底部電極之上；以及

頂部電極，其形成在所述電介質(zhì)層之上，

其中，所述頂部電極包括填充所述底部電極之間的間隙的含碳材料和含鍺材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述含碳材料包括碳化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述含鍺材料包括鍺硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述頂部電極還包括在所述含鍺材料之上的金屬或含金屬材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述電容器還包括包圍所述底部電極的外壁的支撐件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述頂部電極包含所述含碳材料與所述含鍺材料的合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述頂部電極包括所述含碳材料與所述含鍺材料的疊層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述含碳材料包括Si-C-Ge，并且所述含鍺材料包括SiGe。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述含鍺材料包括摻雜硼的鍺硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述底部電極中的每個(gè)底部電極具有圓筒形狀、柱形狀或柱筒形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述電介質(zhì)層包含基于氧化鋯的材料或基于氧化鉿的材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述含碳材料和所述含鍺材料完全填充所述底部電極之間的所述間隙。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述含碳材料共形地形成在所述電介質(zhì)層上，并且所述含鍺材料完全填充所述含碳材料上的所述底部電極之間的所述間隙。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述頂部電極還包括在所述含碳材料與所述電介質(zhì)層之間的金屬內(nèi)襯。

15.一種形成電容器的方法，包括：

形成多個(gè)底部電極；

形成電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層形成在所述底部電極之上；以及

在所述電介質(zhì)層之上形成頂部電極，所述頂部電極包括填充所述底部電極之間的間隙的含碳材料和含鍺材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括：

在形成所述頂部電極之后，在所述頂部電極之上形成含金屬材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述頂部電極的步驟包括：

在所述電介質(zhì)層之上形成所述含碳材料；以及

在所述含碳材料之上形成所述含鍺材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述頂部電極的步驟包括：

在所述電介質(zhì)層之上形成間隙填充材料，所述間隙填充材料包括所述含碳材料與所述含鍺材料的合金。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述頂部電極的步驟包括：

在所述電介質(zhì)層之上形成包含鍺的含碳材料；以及

在所述包含鍺的含碳材料之上形成含鍺材料。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述含鍺材料包括摻雜硼的鍺硅。