[發明專利]光掩膜板及其形成方法

在審

• 申請號: 201911241128.6
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN112925164A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F1/34
• 分類號: G03F1/34
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

該發明涉及一種光掩膜板及其形成方法，能夠改善使用光掩膜板進行光刻時，轉印的圖形邊界模糊、不精準的情況，提高光刻工藝的生產加工良率。所述光掩膜板具有圖案區域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移層；形成于所述相移層上表面的第一光遮蔽層，所述第一光遮蔽層沿所述圖案區域的邊緣設置，所述第一光遮蔽層的透光率小于等于預設值；形成于所述第一光遮蔽層上表面的第二光遮蔽層。

技術領域

本發明涉及光掩膜板領域，具體涉及一種光掩膜板及其形成方法。

背景技術

在半導體裝置的制作中，利用光刻技術來將圖案轉移至晶片，就會用到光掩膜板。所述光掩膜板由石英或者玻璃制成，在一側表面沉積有一種或多種金屬材料以防止透光。隨著晶片的關鍵尺寸的減小，以及集成電路芯片中電路密度的增大，開發出了例如OPC(optical proximity correction，光學鄰近效應校正)、OAI(off-axis illumination，離軸照明)、DDL(double dipole lithography，雙重偶極光刻、以及PSM(Phase Shift Mask，相移掩模)等分辨率增強技術，以改善焦點深度，從而將圖案能夠更好的傳遞至晶片。

其中，PSM同時利用光線的強度和相位來成像，以得到更高分辨率。

現有技術中，采用PSM的方法進行光刻時，光掩膜板的結構如圖1所示。PSM的基本原理主要是在掩模圖形的相鄰透光區引入180°(或其奇數倍)的位相差，或再輔之以透過率變化(衰減PSM)，以改變相鄰圖形衍射光束之間的干涉狀態。通過相鄰透光區光場的相消干涉，減小光場分布中暗區的光強、增大亮區的光場，以提高對比度、改善分辨力，或者用相鄰圖形的位相梯度，產生光場方向反轉和零場區,以提高圖形陡度、對比度和分辨力。由于亮區光場分布變陡，從而也改善了曝光量寬容度。

然而現有技術中，在利用PSM進行光掩膜板圖形的轉印時，總是會出現轉印的圖形邊界模糊、不精準的問題，這將大大的影響光刻工藝過程中的生產加工良率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光掩膜板及其形成方法，能夠改善使用光掩膜板進行光刻時，轉印的圖形邊界模糊、不精準的情況，提高光刻工藝的生產加工良率。

為了解決上述技術問題，以下提供了一種光掩膜板，具有圖案區域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移層；形成于所述相移層上表面的第一光遮蔽層，所述第一光遮蔽層沿所述圖案區域的邊緣設置，所述第一光遮蔽層的透光率小于等于預設值；形成于所述第一光遮蔽層上表面的第二光遮蔽層。

可選的，所述相移層包括MoSiON層或MoSi層中的至少一種。

可選的，所述第一光遮蔽層包括透光率為0的MoSiON層或透光率為0的MoSi層中的至少一種。

可選的，所述第二光遮蔽層包括鉻層或氧化鉻層中的至少一種。

可選的，所述第二光遮蔽層在基板表面的投影被所述第一光遮蔽層在所述基板表面的投影覆蓋。

可選的，所述第二光遮蔽層中形成有開口，所述開口將所述圖案區域完全暴露，并且所述開口的邊緣與所述圖案區域的邊緣有一預設距離，該預設距離大于0μm，小于等于600μm。

可選的，所述基板包括石英基板。

可選的，所述相移層的透光率為6％至18％。

可選的，所述相移層的厚度范圍為50至100nm。

可選的，所述第一光遮蔽層的厚度范圍為50至100nm。

可選的，所述第二光遮蔽層的厚度范圍為30至60nm。