[發明專利]光掩膜板及其形成方法

在審

• 申請號: 201911241128.6
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN112925164A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F1/34
• 分類號: G03F1/34
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種光掩膜板，具有圖案區域，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上表面的相移層；

形成于所述相移層上表面的第一光遮蔽層，所述第一光遮蔽層沿所述圖案區域的邊緣設置，所述第一光遮蔽層的透光率小于等于預設值；

形成于所述第一光遮蔽層上表面的第二光遮蔽層。

2.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移層包括MoSiON層或MoSi層中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第一光遮蔽層包括透光率為0的MoSiON層或透光率為0的MoSi層中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽層包括鉻層或氧化鉻層中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽層在基板表面的投影被所述第一光遮蔽層在所述基板表面的投影覆蓋。

6.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽層中形成有開口，所述開口將所述圖案區域完全暴露，并且所述開口的邊緣與所述圖案區域的邊緣有一預設距離，該預設距離大于0μm，小于等于600μm。

7.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述基板包括石英基板。

8.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移層的透光率為6％至18％。

9.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移層的厚度范圍為50至100nm。

10.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第一光遮蔽層的厚度范圍為50至100nm。

11.根據權利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽層的厚度范圍為30至60nm。

12.一種光掩膜板的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上表面形成相移層；

在所述相移層的上表面形成第一光遮蔽層，所述第一光遮蔽層的透光度小于等于預設值；

在所述第一光遮蔽層上表面形成第二光遮蔽層；

去除位于預設區域內的第一光遮蔽層和第二光遮蔽層，所述預設區域為所述光掩膜板的圖案區域。

13.根據權利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于預設區域內的第一光遮蔽層和第二光遮蔽層時，包括以下步驟：

在所述第二光遮蔽層上表面形成第一光阻層；

圖形化所述第一光阻層，暴露出位于所述預設區域內的所述第二光遮蔽層的上表面；

沿垂直所述基板表面向下的方向刻蝕所述第二光遮蔽層暴露的區域，直至暴露出所述第一光遮蔽層的上表面；

沿垂直所述基板表面向下的方向刻蝕所述第一光遮蔽層外露于所述第二光遮蔽層的區域，直至暴露出所述相移層的上表面；

去除剩余的所述第一光阻層。

14.根據權利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于預設區域內的第一光遮蔽層和第二光遮蔽層時，還包括以下步驟：

部分刻蝕外露的相移層，以部分暴露所述基板的上表面。

15.根據權利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于預設區域內的第一光遮蔽層和第二光遮蔽層時，還包括以下步驟：

在所述第二光遮蔽層表面形成開口，所述開口的邊緣與所述預設區域的邊緣有一預設距離，該預設距離大于0μm，小于等于600μm，直至暴露所述第一光遮蔽層的上表面。

16.根據權利要求15所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，在所述第二光遮蔽層表面形成開口時，包括以下步驟：

在剩余的第一光遮蔽層之間，以及剩余的第二光遮蔽層之間填充第二光阻層，直至所述第二光阻層覆蓋至所述第二光遮蔽層的上表面；

圖形化所述第二光阻層，使所述第二光遮蔽層的上表面部分外露，所述第二光阻層形成的圖案的邊緣與預設區域的邊緣有預設距離；

沿垂直所述基板表面向下的方向刻蝕外露于所述第二光阻層的所述第二光遮蔽層，直至暴露所述第一光遮蔽層的上表面。