[發明專利]一種磁過濾管道

在審

• 申請號: 201911239897.2
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN110747437A
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 廖斌;歐陽曉平;華青松;何衛鋒;何光宇;羅軍;陳琳;張旭;吳先映;龐盼;韓然;英敏菊
• 申請（專利權）人: 北京師范大學;穩力(廣東)科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 11569 北京高沃律師事務所
• 代理人: 王立普

本發明公開了一種磁過濾管道，涉及磁過濾技術領域，包括：第一矩形管和第二矩形管，所述第一矩形管一端與所述第二矩形管的一端固定連接，所述第一矩形管另一端為磁過濾管道入口，所述磁過濾管道入口用于與陰極靶材法蘭相連接，所述第二矩形管另一端為磁過濾管道出口，所述磁過濾管道出口用于與真空室連接，所述第一矩形管和所述第二矩形管內壁均設置有凸起和凹槽，所述凸起內用于填充冷水。所以，本發明克服了現有技術磁過濾管道存在的尺寸小以及膜層沉積效率低的缺陷，本發明能夠提高膜層沉積效率，并有利于降低生產成本。

技術領域

本發明涉及磁過濾技術領域，特別是涉及一種磁過濾管道。

背景技術

磁過濾陰極真空弧沉積(filter cathodicvacuum arcdeposition)技術是近年來發展起來的一種新型離子束薄膜制備方法，它通過磁過濾技術，過濾掉弧源產生的大顆粒和中性原子，得到無大顆粒的純等離子束，不僅有效地克服了普通弧源沉積方法中由于大顆粒的存在而產生的問題，制備的薄膜具有優異的性能。FCVA技術可以制備高質量高性能的薄膜材料，具有很多優點，比如，可以在很寬的條件下沉積高品質膜，對金屬、合金及化合物有高的沉積速率和良好的薄膜均勻性，可以在低的基體溫度下沉積，從而對基底材料的影響很小，利用合金材料作陰極時，能均勻燒蝕，從而可以保持合金成分不變，工作時可以充入反應氣體，易于反應生成化合物薄膜，產生的等離子體密度高，但其也存在著致命的缺點：

1、磁過濾管道尺寸小，磁過濾技術處理的工件尺寸偏小，磁過濾系統不能展開等離子體束；

2、磁過濾彎管在考慮彎管過濾效果時往往過濾角度偏大，而此時等離子體傳輸效率大大降低，后續膜層沉積速率也大大降低。

發明內容

本發明的目的是提供一種磁過濾管道，以解決上述現有技術存在的問題，能夠提高膜層沉積效率，并有利于降低生產成本。

為實現上述目的，本發明提供了如下方案：

本發明提供了一種磁過濾管道，包括第一矩形管和第二矩形管，所述第一矩形管一端與所述第二矩形管一端固定連接，所述第一矩形管另一端為磁過濾管道入口，所述磁過濾管道入口用于與陰極靶材法蘭相連接，所述第二矩形管另一端為磁過濾管道出口，所述磁過濾管道出口用于與真空室連接，所述第一矩形管和所述第二矩形管內壁均設置有凸起和凹槽，所述凸起內填充冷水。

優選的，所述第一矩形管和所述第二矩形管均為紫銅管。

優選的，所述凸起和所述凹槽的數量均為多個；所述凸起與所述凹槽間隔設置，任意相鄰的所述凸起與所述凹槽之間的間距為2～10mm。

優選的，所述凸起的寬度為10～20mm，高度為2～10mm。

優選的，所述凹槽的深度為2～5mm，寬度為10～15mm。

優選的，所述磁過濾管道入口設置有密封圈。

優選的，靠近所述磁過濾管道入口的所述第一矩形管上固定設置有正扇形繞線槽，靠近所述磁過濾管道出口的所述第二矩形管上固定設置有反扇形繞線槽。

優選的，所述磁過濾管道還包括入口段線包和出口段線包，所述入口段線包按照所述正扇形繞線槽繞制，所述出口段線包按照所述反扇形繞線槽繞制。

優選的，所述正扇形繞線槽和所述反扇形繞線槽的發散角度均為0～40°。

優選的，所述入口段線包和所述出口段線包均包括過渡線包和擴展線包，所述過渡線包通入恒定直流電流，所述擴展線包通入強脈沖電流。

本發明相對于現有技術取得了以下技術效果：