[發(fā)明專利]一種磁過(guò)濾管道在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911239897.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110747437A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖斌;歐陽(yáng)曉平;華青松;何衛(wèi)鋒;何光宇;羅軍;陳琳;張旭;吳先映;龐盼;韓然;英敏菊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京師范大學(xué);穩(wěn)力(廣東)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/32 | 分類號(hào): | C23C14/32 |
| 代理公司: | 11569 北京高沃律師事務(wù)所 | 代理人: | 王立普 |
| 地址: | 100875 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 矩形管 磁過(guò)濾管道 膜層沉積 凸起 陰極靶材 磁過(guò)濾 真空室 法蘭 內(nèi)壁 填充 出口 | ||
1.一種磁過(guò)濾管道,其特征在于:包括第一矩形管和第二矩形管,所述第一矩形管一端與所述第二矩形管一端固定連接,所述第一矩形管另一端為磁過(guò)濾管道入口,所述磁過(guò)濾管道入口用于與陰極靶材法蘭相連接,所述第二矩形管另一端為磁過(guò)濾管道出口,所述磁過(guò)濾管道出口用于與真空室連接,所述第一矩形管和所述第二矩形管內(nèi)壁均設(shè)置有凸起和凹槽,所述凸起內(nèi)填充冷水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述第一矩形管和所述第二矩形管均為紫銅管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述凸起和所述凹槽的數(shù)量均為多個(gè);所述凸起與所述凹槽間隔設(shè)置,任意相鄰的所述凸起與所述凹槽之間的間距為2~10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述凸起的寬度為10~20mm,高度為2~10mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述凹槽的深度為2~5mm,寬度為10~15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述磁過(guò)濾管道入口設(shè)置有密封圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:靠近所述磁過(guò)濾管道入口的所述第一矩形管上固定設(shè)置有正扇形繞線槽,靠近所述磁過(guò)濾管道出口的所述第二矩形管上固定設(shè)置有反扇形繞線槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:還包括入口段線包和出口段線包,所述入口段線包按照所述正扇形繞線槽繞制,所述出口段線包按照所述反扇形繞線槽繞制。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述正扇形繞線槽和所述反扇形繞線槽的發(fā)散角度均為0~40°。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁過(guò)濾管道,其特征在于:所述入口段線包和所述出口段線包均包括過(guò)渡線包和擴(kuò)展線包,所述過(guò)渡線包通入恒定直流電流,所述擴(kuò)展線包通入強(qiáng)脈沖電流。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京師范大學(xué);穩(wěn)力(廣東)科技有限公司,未經(jīng)北京師范大學(xué);穩(wěn)力(廣東)科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911239897.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





