[發(fā)明專(zhuān)利]一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911225344.1
• 申請(qǐng)日: 2019-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110993618B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余晶晶;王威
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本發(fā)明涉及一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示面板，本發(fā)明通過(guò)對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行離子摻雜，其內(nèi)摻雜的離子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一種，且離子摻雜的濃度在所述基板至所述柵極層的堆疊方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值可以設(shè)置于所述多晶硅層內(nèi)，也可以設(shè)置于所述緩沖層和所述多晶硅層的接觸面，還可以設(shè)置于所述緩沖層內(nèi)，以此保持Vth穩(wěn)定，增大S.S.或data range，改善畫(huà)面均一性，提高顯示面板溫度場(chǎng)中的工作穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

顯示裝置可以把計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)變換成各種文字、數(shù)字、符號(hào)或直觀的圖像顯示出來(lái)，并且可以利用鍵盤(pán)等輸入工具把命令或數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)，借助系統(tǒng)的硬件和軟件隨時(shí)增添、刪改、變換顯示內(nèi)容。顯示裝置根據(jù)所用之顯示器件分為等離子、液晶、發(fā)光二極管和陰極射線管等類(lèi)型。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置(英文全稱：Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱OLED)又稱為有機(jī)電激光顯示裝置、有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體。OLED的工作原理是：當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí)，正極空穴與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合，在庫(kù)倫力的作用下以一定幾率復(fù)合形成處于激發(fā)態(tài)的激子(電子-空穴對(duì))，而此激發(fā)態(tài)在通常的環(huán)境中是不穩(wěn)定的，激發(fā)態(tài)的激子復(fù)合并將能量傳遞給發(fā)光材料，使其從基態(tài)能級(jí)躍遷為激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射馳豫過(guò)程產(chǎn)生光子，釋放出光能，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三基色，構(gòu)成基本色彩。

OLED具有電壓需求低、省電效率高、反應(yīng)快、重量輕、厚度薄，構(gòu)造簡(jiǎn)單，成本低、廣視角、幾乎無(wú)窮高的對(duì)比度、較低耗電、極高反應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為當(dāng)今最重要的顯示技術(shù)之一。

目前OLED在中小尺寸屏幕的應(yīng)用中，主要采用LTPS(英文全稱：Low TemperaturePoly-silicon，低溫多晶硅)背板技術(shù)。相較于LTPS-LCD使用電壓驅(qū)動(dòng)，LTPS-AMOLED使用電流驅(qū)動(dòng)。LTPS工藝中，需要使用激光退火工藝進(jìn)行多晶化，由于激光退火工藝機(jī)臺(tái)的工藝以及其他相關(guān)工藝的影響，能較好適用于電壓驅(qū)動(dòng)LTPS-LCD的LTPS技術(shù)，在適用于電流驅(qū)動(dòng)的LTPS-AMOLED中，需要設(shè)計(jì)相應(yīng)的補(bǔ)償電路來(lái)彌補(bǔ)Vth等電性均一性。為了保持Vth(閾值)穩(wěn)定，增大S.S.(亞閾值擺幅)或data range(工作電壓)，改善畫(huà)面均一性，提高顯示立面板溫度場(chǎng)中的工作穩(wěn)定性，需要尋求一種新型的TFT陣列基板。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示面板，其能夠保持Vth穩(wěn)定，增大S.S.或data range，改善畫(huà)面均一性，提高顯示面板溫度場(chǎng)中的工作穩(wěn)定性。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供了一種TFT陣列基板，其包括：基板、緩沖層、多晶硅層、源極、漏極、柵極絕緣層以及柵極層。其中所述緩沖層設(shè)置于所述基板上；所述多晶硅層設(shè)置于所述緩沖層上；所述源極設(shè)置于所述多晶硅層的一側(cè)的所述緩沖層上；所述漏極設(shè)置于所述多晶硅層的另一側(cè)的所述緩沖層上；所述柵極絕緣層設(shè)置于所述多晶硅層、源極、漏極上；所述柵極層設(shè)置于所述柵極絕緣層上；其中所述多晶硅層經(jīng)過(guò)了離子摻雜處理，其內(nèi)摻雜的離子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一種，其中摻雜離子的濃度在所述基板至所述柵極層的堆疊方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值位置設(shè)置在所述多晶硅層內(nèi)。

進(jìn)一步的，其中所述高斯分布的峰值位置還設(shè)置在所述緩沖層和所述多晶硅層的接觸面。

進(jìn)一步的，其中所述高斯分布的峰值位置還設(shè)置在所述緩沖層內(nèi)。

進(jìn)一步的，其中所述多晶硅層的厚度范圍為300-600埃。