[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911225344.1
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN110993618B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設計）人: 余晶晶;王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制備緩沖層；

在所述緩沖層上制備多晶硅層以及位于所述多晶硅層兩側的源極和漏極；

在所述多晶硅層、源極和漏極上制備柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上制備柵極層；

對所述多晶硅層進行離子摻雜處理，其內(nèi)摻雜的離子包括Ar+、B+、PH₃+、PH₄+中的至少一種，其中摻雜離子的濃度在所述基板至所述柵極層的堆疊方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值位置設置在所述多晶硅層內(nèi)；或者所述高斯分布的峰值位置還設置在所述緩沖層和所述多晶硅層的接觸面；或者所述高斯分布的峰值位置還設置在所述緩沖層內(nèi)；

所述離子的摻雜能量范圍為10-20keV。

2.根據(jù)權利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述離子通過離子注入機對所述多晶硅層進行離子摻雜。

3.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-2中任意一項所述的TFT陣列基板的制備方法制備形成的TFT陣列基板。