[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911225101.8
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN112909071A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L23/535
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底內(nèi)形成有若干個間隔排布的有源區(qū)；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述基底內(nèi)，且同一所述有源區(qū)中至少間隔排布有一組所述柵極結(jié)構(gòu)；

絕緣襯墊層，所述絕緣襯墊層位于所述柵極結(jié)構(gòu)之間，且所述絕緣襯墊層的底表面要低于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂表面；

位線接觸結(jié)構(gòu)，位于同一所述有源區(qū)上相鄰的一組所述柵極結(jié)構(gòu)之間的所述絕緣襯墊層中，且所述位線接觸結(jié)構(gòu)的底表面與所述柵極結(jié)構(gòu)之間的所述有源區(qū)接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣襯墊層的底表面為連續(xù)的非平面表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣襯墊層的底表面還同時位于部分所述柵極結(jié)構(gòu)上，且位于所述柵極結(jié)構(gòu)上的所述絕緣襯墊層的底表面低于位于所述有源區(qū)上的所述絕緣襯墊層的底表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣襯墊層的底表面不高于所述柵極結(jié)構(gòu)的底表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣襯墊層包括二氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、碳化硅層及高k介質(zhì)層中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣襯墊層內(nèi)形成有空氣隙。

7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基底，所述基底內(nèi)形成有若干個間隔排布的有源區(qū)；

于所述基底內(nèi)形成有若干個間隔排布的柵極結(jié)構(gòu)，且同一所述有源區(qū)中至少間隔排布有一組所述柵極結(jié)構(gòu)；

于所述基底內(nèi)形成凹槽，所述凹槽位于同一所述有源區(qū)的所述柵極結(jié)構(gòu)之間；

于所述凹槽內(nèi)形成絕緣襯墊材料層；

于所述絕緣襯墊材料層內(nèi)形成位線接觸孔；

于所述位線接觸孔內(nèi)形成位線接觸結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，于所述基底內(nèi)形成凹槽，包括：

于所述基底表面形成第一圖形掩膜層，所述第一圖形掩膜層的開口暴露相鄰兩所述柵極結(jié)構(gòu)之間的所述有源區(qū)；

根據(jù)所述第一圖形掩膜層刻蝕所述有源區(qū)形成刻蝕槽；

于所述基底表面形成第二圖形掩膜層，所述第二圖形掩膜層的開口暴露所述刻蝕槽兩側(cè)的所述柵極結(jié)構(gòu)；

根據(jù)所述第二圖形掩膜層刻蝕去除部分所述柵極結(jié)構(gòu)以形成所述凹槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，于所述凹槽內(nèi)形成絕緣襯墊材料層，包括：于所述凹槽內(nèi)沉積所述絕緣襯墊材料層，同時于所述絕緣襯墊材料層內(nèi)形成空氣隙。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，于所述絕緣襯墊材料層內(nèi)形成位線接觸孔包括：

于所述絕緣襯墊材料層上形成第三圖形掩膜層；

根據(jù)所述第三圖形掩膜層刻蝕所述絕緣襯墊材料層以形成所述位線接觸孔和絕緣襯墊層；

所述絕緣襯墊層的底表面為連續(xù)的非平面表面。