[發明專利]一種晶圓傳送葉片

在審

• 申請號: 201911206763.0
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN110911325A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 劉凱;金柱炫;俎世琦
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發明涉及一種晶圓傳送葉片，包括：基部、第一分支、第二分支、第三分支和第四分支，其中，第一分支自基部的第一部位向遠離基部的第一方向延伸；第二分支自基部的第二部位向遠離基部的第二方向延伸，且第一分支的延伸端與第二分支的延伸端相交；第一方向與第二方向不同；第三分支自第二分支和第一分支的相交處向遠離基部的第三方向延伸；第四分支自第二分支和第一分支的相交處向遠離基部的第四方向延伸。該晶圓傳送葉片可以使得傳送葉片與晶圓彎曲變形程度最小的區域相接觸，使得晶圓彎曲變形程度較大的區域處于懸空狀態，減小了晶圓在發生彎曲變形時與傳送葉片接觸面積，從而減少晶圓表面的顆粒和劃痕的產生，大幅度提高了晶圓的良品率。

技術領域

本發明屬于半導體制造設備技術領域，具體涉及一種晶圓傳送葉片。

背景技術

在半導體器件制造過程中，半導體晶圓要在各種處理室內送入/取出。由于制造一個半導體器件需要在多個處理室內對半導體晶圓進行各種處理，半導體晶圓在各個處理室內的送/取都需要借助專用的晶圓傳送裝置來完成。

在外延生產工藝過程中，(100)面硅晶圓1在外延工藝腔室進行氣相生長。請參見圖1，圖1為現有技術提供的一種外延生長工藝腔室的結構示意圖；圖1中(100)面硅晶圓1的凹槽方向采用<010>晶向，基座2為硅晶圓1的生長工藝過程提供了支撐作用；頂部鐘罩3和底部鐘罩4為硅晶圓1生長提供了一個合適的密閉環境；晶圓提升銷5能夠將硅晶圓1從傳送葉片放置到基座2上；燈模塊6為硅晶圓生長的加熱裝置。傳統傳送葉片7的形狀一般采用梯形設計，請參見圖2，圖2為現有技術提供的一種梯形傳送葉片傳送晶圓的結構示意圖；圖2中傳送葉片7的傳送方向(箭頭方向)與凹槽方向<010>一致，陰影部分為硅晶圓1與傳送葉片7的接觸區域，硅晶圓1未接觸傳送葉片7的部分處于懸空狀態。

然而，硅晶圓1隨傳送葉片7傳輸到工藝腔室時，硅晶圓1從溫度較低的空間傳送到溫度較高的工藝腔室中，溫度突然升高會導致硅晶圓1產生熱變形，發生彎曲現象。硅晶圓1在彎曲時會在傳送葉片7表面發生移動，與傳送葉片7產生摩擦，從而導致硅晶圓1的表面產生較多的顆粒和劃痕，降低硅晶圓1的良率。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提供了一種晶圓傳送葉片。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

本發明實施例提供了一種晶圓傳送葉片，包括：基部、第一分支、第二分支、第三分支和第四分支，其中，

所述第一分支自所述基部的第一部位向遠離所述基部的第一方向延伸；

所述第二分支自所述基部的第二部位向遠離所述基部的第二方向延伸，且所述第一分支的延伸端與所述第二分支的延伸端相交；

所述第一方向與所述第二方向不同；

所述第三分支自所述第一分支和所述第二分支的相交處向遠離所述基部的第三方向延伸；

所述第四分支自所述第一分支和所述第二分支的相交處向遠離所述基部的第四方向延伸。

在本發明的一個實施例中，所述第一分支與所述第二分支沿所述基部的對稱軸對稱分布。

在本發明的一個實施例中，所述第三分支與所述第四分支沿所述基部的對稱軸對稱分布。

在本發明的一個實施例中，所述第三分支自所述第二分支和所述第一分支的相交處沿所述第二方向延伸，所述第四分支自所述第二分支和所述第一分支的相交處沿所述第一方向延伸。

在本發明的一個實施例中，所述第一分支的內邊緣與外邊緣之間的寬度隨其延伸方向逐漸增大，所述第二分支的內邊緣與外邊緣之間的寬度隨其延伸方向逐漸增大，所述第三分支的內邊緣與外邊緣之間的寬度隨其延伸方向逐漸減小，所述第四分支的內邊緣與外邊緣之間的寬度隨其延伸方向逐漸減小。