[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的方法及半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911206411.5
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN111261584B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳憲偉;陳明發(fā)
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

半導(dǎo)體器件包括襯底。第一介電層位于襯底上方。第一互連件位于第一介電層中。第二介電層位于第一介電層和第一互連件上方。導(dǎo)電通孔延伸穿過第一介電層、第二介電層和襯底。導(dǎo)電通孔的最上表面與第二介電層的最上表面齊平。第三介電層位于第二介電層和導(dǎo)電通孔的上方。第四介電層位于第三介電層的上方。第二互連件位于第四介電層中。第二互連件延伸穿過第三介電層和第二介電層并且與第一互連件物理接觸。根據(jù)本申請的其他實(shí)施例，還提供了形成半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，并且更具體地，涉及形成半導(dǎo)體器件的方法及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件被用于各種電子應(yīng)用中，例如，個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過以下方式制造半導(dǎo)體器件：依次在半導(dǎo)體襯底上沉積絕緣材料層或介電材料層、導(dǎo)電材料層和半導(dǎo)體材料層，并使用光刻和蝕刻工藝圖案化各種材料層以在其上形成電路組件和元件。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過不斷減小最小特征尺寸來持續(xù)提高各種電子組件(例如，晶體管，二極管，電阻器，電容器等)的集成密度，減小最小特征尺寸允許將更多的組件集成到給定區(qū)域中。但是，隨著最小特征尺寸的減小，在所使用的每個(gè)過程中都會(huì)出現(xiàn)額外的問題，并且這些額外的問題應(yīng)得到解決。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本申請的實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成第一介電層；在第一介電層中形成第一互連件；在第一介電層和第一互連件上方形成第二介電層；在第一介電層、第二介電層和襯底內(nèi)形成貫通孔，其中，形成所述貫通孔包括：在第一介電層、所述第二介電層和所述襯底中形成開口，所述開口設(shè)置為鄰近所述第一互連件；在開口中并且在第二介電層上方沉積導(dǎo)電材料；以及在導(dǎo)電材料上執(zhí)行平坦化工藝以暴露第二介電層；在第二介電層和貫通孔上方形成第三介電層；在第三介電層上方形成第四介電層；以及在第四介電層中形成第二互連件，第二互連件延伸穿過第三介電層和第二介電層并且與第一互連件物理接觸。

根據(jù)本申請的實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成第一介電層；在第一介電層中形成第一互連件；在第一介電層和第一互連件上方形成第二介電層；在第一介電層和第二介電層內(nèi)形成電容器，其中，形成電容器包括：在第一介電層和第二介電層中形成開口，開口設(shè)置為鄰近第一互連件；沿開口的側(cè)壁和底部并且在第二介電層上方形成第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上方形成第三介電層；在第三介電層上方形成第二導(dǎo)電層；以及在第一導(dǎo)電層、第三介電層和第二導(dǎo)電層上執(zhí)行平坦化工藝以暴露第二介電層；在第二介電層和電容器上方形成第四介電層；在第四介電層上方形成第五介電層；以及在第五介電層中形成第二互連件，第二互連件延伸穿過第四介電層和第二介電層并且與第一互連件物理接觸。

根據(jù)本申請的實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；第一介電層，位于所述襯底上方；

第一互連件，位于第一介電層中；第二介電層，位于第一介電層和第一互連件上方；導(dǎo)電通孔，延伸穿過第一介電層、第二介電層和襯底，導(dǎo)電通孔的最上表面與第二介電層的最上表面齊平；第三介電層，位于第二介電層和導(dǎo)電通孔上方；第四介電層，位于第三介電層上方；以及第二互連件，位于第四介電層中，第二互連件延伸穿過第三介電層和第二介電層并且與第一互連件物理接觸。

本申請涉及半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的功能組件及其形成方法。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可以更好地理解本公開的各個(gè)方面。應(yīng)該指出的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖8示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造的各個(gè)中間階段的截面圖。

圖9A和圖9B示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖10至圖16示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造的各個(gè)中間階段的截面圖。