[發明專利]半導體封裝設備

在審

• 申請號: 201911204769.4
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN112885735A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 王維斌;李龍祥;林正忠;陳明志;嚴成勉
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發明提供一種半導體封裝設備，其包括焊線腔室、塑封腔室及傳送模塊；所述傳送模塊用于在所述焊線腔室和所述塑封腔室之間傳送晶圓。本發明的半導體封裝設備通過優化的結構設置，可實現在同一臺設備上連續進行焊線和塑封工藝，可以極大減少工藝生產所需的時間，提高設備產出率；同時，晶圓的傳送過程無需人工操作，不僅可以有效降低晶圓污染和破損的風險，而且可以提高生產效率，降低生產成本。采用本發明的半導體封裝設備，有利于封裝廠內的布局優化，有利于提高產線的自動化水平，有助于降低生產成本和避免生產事故的發生。

技術領域

本發明屬于半導體芯片封裝領域，特別是涉及一種半導體封裝設備。

背景技術

焊線(wire bonding)和塑封(molding)都是半導體芯片封裝過程中的關鍵工序。焊線是使芯片與封裝基板或引線框架等完成電路連接，以使芯片實現電子信號傳輸的功能；塑封則是用環氧樹脂等有機材料將晶圓表面的部分結構包覆，比如將剛形成的焊線結構包覆以對焊線結構進行保護。現有技術中，焊線工藝和塑封工藝在不同的設備中完成，需要操作人員將在焊線設備中完成焊線工藝的晶圓轉移到塑封設備內進行塑封。這種方式存在不少問題。比如，由于焊線工藝和塑封工藝都是高溫工藝，晶圓在焊線工藝前需進行預熱；而在完成焊線工藝后通常要將晶圓降至室溫后再進行傳送以避免高溫晶圓在轉移過程中對操作人員造成傷害。晶圓降溫時間過長不僅導致生產效率的下降，同時在傳送至塑封設備內進行塑封工藝前同樣需要進行預熱，導致塑封設備產出率低下；其次，由于晶圓的轉移都是依賴操作人員的手工作業，不僅生產效率低下，而且容易造成晶圓污染和損傷。另外，過多的焊線設備和塑封設備導致半導體封裝廠內空間擁擠、自動化水平低下，極易引發生產事故，而擴充生產空間又帶來新的生產成本增加等問題。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種半導體封裝設備，用于解決現有技術中因焊線設備和塑封設備各自獨立，導致設備產出率低下以及晶圓需通過人工作業在焊線設備和塑封設備中轉移導致生產效率低下、設備投入成本增加，同時容易造成晶圓污染和損傷，以及導致半導體廠內空間擁擠帶來的生產成本上升及生產事故隱患增加等問題。

為實現上述目的及其它相關目的，本發明提供一種半導體封裝設備，所述半導體封裝設備包括焊線腔室、塑封腔室及傳送模塊；所述傳送模塊用于在所述焊線腔室和所述塑封腔室之間傳送晶圓。

可選地，所述晶圓自所述焊線腔室取出時具有第一溫度，所述晶圓放入所述塑封腔室時具有第二溫度，所述第一溫度與第二溫度之差不大于20℃。

可選地，所述半導體封裝設備還包括中轉腔室，在所述焊線腔室內完成焊線工藝的晶圓經所述中轉腔室的中轉被傳送至所述塑封腔室內。

可選地，所述傳送模塊包括第一傳送手臂及第二傳送手臂，所述第一傳送手臂用于在所述焊線腔室和所述中轉腔室之間傳送晶圓，所述第二傳送手臂用于在所述中轉腔室和所述塑封腔室之間傳送晶圓。

可選地，所述中轉腔室內設置有加熱單元。

可選地，所述焊線腔室的數量大于所述塑封腔室的數量。

可選地，所述焊線腔室及所述塑封腔室之間設置有隔離結構。

可選地，所述半導體封裝設備還包括裝載腔室，所述裝載腔室與所述焊線腔室相連接。

可選地，所述半導體封裝設備還包括轉移腔室，所述轉移腔室與所述塑封腔室相連接。

在一可選方案中，所述半導體封裝設備還包括殼體，所述焊線腔室、塑封腔室及傳送模塊均位于所述殼體內。

在另一可選方案中，所述半導體封裝設備還包括殼體，所述傳送模塊位于所述殼體內，所述焊線腔室及所述塑封腔室位于所述殼體外且與所述殼體相連接。