[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911204769.4 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN112885735A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王維斌;李龍祥;林正忠;陳明志;嚴(yán)成勉 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯長電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于,包括:
焊線腔室;
塑封腔室;及
傳送模塊,用于在所述焊線腔室和所述塑封腔室之間傳送晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述晶圓自所述焊線腔室取出時具有第一溫度,所述晶圓放入所述塑封腔室時具有第二溫度,所述第一溫度與第二溫度之差不大于20℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述半導(dǎo)體封裝設(shè)備還包括中轉(zhuǎn)腔室,在所述焊線腔室內(nèi)完成焊線工藝的晶圓經(jīng)所述中轉(zhuǎn)腔室的中轉(zhuǎn)被傳送至所述塑封腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述傳送模塊包括第一傳送手臂及第二傳送手臂,所述第一傳送手臂用于在所述焊線腔室和所述中轉(zhuǎn)腔室之間傳送晶圓,所述第二傳送手臂用于在所述中轉(zhuǎn)腔室和所述塑封腔室之間傳送晶圓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述中轉(zhuǎn)腔室內(nèi)設(shè)置有加熱單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述焊線腔室的數(shù)量大于所述塑封腔室的數(shù)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述焊線腔室及所述塑封腔室之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述半導(dǎo)體封裝設(shè)備還包括裝載腔室和轉(zhuǎn)移腔室,所述裝載腔室與所述焊線腔室相連接,所述轉(zhuǎn)移腔室與所述塑封腔室相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述半導(dǎo)體封裝設(shè)備還包括殼體,所述焊線腔室、塑封腔室及傳送模塊均位于所述殼體內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝設(shè)備,其特征在于:所述半導(dǎo)體封裝設(shè)備還包括殼體,所述傳送模塊位于所述殼體內(nèi),所述焊線腔室及所述塑封腔室位于所述殼體外且與所述殼體相連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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