[發(fā)明專利]電子設(shè)備、電子設(shè)備的殼體及其加工方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911193692.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110747432A | 公開(公告)日: | 2020-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莫博宇;王坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 維沃移動(dòng)通信有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/34;H05K5/00 |
| 代理公司: | 11315 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 523857 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 膜層 電子設(shè)備 子膜 設(shè)計(jì)圖樣 光罩 開孔 遮蔽 殼體基材 目標(biāo)顏色 殼體 位置開設(shè)通孔 低折射率 高折射率 交替層疊 圖形制備 制備殼體 美觀性 折射率 兩層 三層 通孔 制備 匹配 | ||
1.一種電子設(shè)備的殼體制備方法,其特征在于,包括:
在殼體基材上設(shè)置膜層,所述膜層包括逐層疊置的至少三層子膜層,相鄰的兩層所述子膜層的折射率不同,且低折射率的所述子膜層與高折射率的所述子膜層交替層疊設(shè)置;
根據(jù)所述殼體的目標(biāo)顏色組合,將相同顏色的圖形制備成單色設(shè)計(jì)圖樣;
制備與每個(gè)所述單色設(shè)計(jì)圖樣相匹配的遮蔽光罩,每個(gè)所述遮蔽光罩上與相對(duì)應(yīng)的所述單色設(shè)計(jì)圖樣的所述圖形相對(duì)的位置開設(shè)通孔;
依次通過所述遮蔽光罩在所述膜層上與所述通孔相對(duì)的區(qū)域進(jìn)行開孔,每次開孔的深度對(duì)應(yīng)一種所述目標(biāo)顏色;
在所述膜層進(jìn)行開孔后,依據(jù)設(shè)置有所述膜層的所述殼體基材制備所述殼體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體制備方法,其特征在于,所述至少三層子膜層的厚度在遠(yuǎn)離所述殼體基材的方向上遞增或遞減。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體制備方法,其特征在于,在殼體基材上設(shè)置膜層,包括:
將所述殼體基材放入等離子鍍膜濺鍍機(jī)的工作腔內(nèi);
對(duì)所述工作腔抽真空,以使得所述工作腔的真空度下降到1×10-4Pa;
選用第一靶材和第二靶材逐層形成所述子膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體制備方法,其特征在于,制備與每個(gè)所述單色設(shè)計(jì)圖相匹配的遮蔽光罩,包括:
依據(jù)每個(gè)所述單色設(shè)計(jì)圖制備相匹配的菲林圖,所述菲林圖包括與所述圖形一致的白色區(qū)域;
依據(jù)每個(gè)所述菲林圖,將光罩基材的與所述白色區(qū)域相對(duì)的部位加工成所述通孔,得到所述遮蔽光罩。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的殼體制備方法,其特征在于,將光罩基材的與所述白色區(qū)域相對(duì)的部位加工成所述通孔,包括:
采用激光鐳射的方式去除所述光罩基材的與所述白色區(qū)域相對(duì)的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的殼體制備方法,其特征在于,所述光罩基材為PET片或不銹鋼片,所述光罩基材的厚度小于0.1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體制備方法,其特征在于,所述殼體基材為透明基材,或者,所述殼體基材為金屬基材。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殼體制備方法,其特征在于,依次通過所述遮蔽光罩在所述膜層上與所述通孔相對(duì)的區(qū)域進(jìn)行開孔,包括:
依次通過所述遮蔽光罩在所述膜層上與所述通孔相對(duì)的區(qū)域通過蝕刻的方式進(jìn)行開孔。
9.一種電子設(shè)備的殼體,其特征在于,所述殼體由權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的殼體制備方法制備而成。
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求9所述的殼體。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





