[發明專利]基板固定裝置在審
| 申請號: | 201911193144.2 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN111261571A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 飯島信行;淺川浩行;竹元啟一;原山洋一 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 金輝;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固定 裝置 | ||
本發明提供一種基板固定裝置,其具有:底板;設置在所述底板上的發熱部;及設置在所述發熱部上的靜電卡盤。其中,所述發熱部具備:發熱體;配置在比所述發熱體還靠近所述靜電卡盤的一側的金屬層;及對所述發熱體和所述金屬層進行覆蓋的絕緣層。所述金屬層由熱傳導率高于所述絕緣層的材料形成。
技術領域
本發明涉及一種基板固定裝置。
背景技術
現有技術中,制造IC、LSI等的半導體裝置時所使用的成膜裝置(例如,CVD裝置、PVD裝置等)或等離子蝕刻裝置一般具有用于在真空處理室內對晶片(wafer)進行高精度保持的載臺(stage)。
作為這樣的載臺,例如提出了一種藉由安裝在底板上的靜電卡盤(chuck)對吸附對象即晶片進行吸附保持的基板固定裝置。
作為基板固定裝置的一例,可列舉出具有設置了用于對晶片的溫度進行調節的發熱體的結構的基板固定裝置。在這樣的基板固定裝置中,發熱體例如內置在與靜電卡盤相鄰設置的絕緣層中。
專利文獻1:日本特開2014-78731號公報
然而,基板固定裝置中存在發熱體的厚度方向的偏差(不均)等會導致發熱參差不齊,進而阻礙靜電卡盤表面的溫度均勻性的情況。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種可提高靜電卡盤表面的溫度均勻性的基板固定裝置。
根據本發明的一方面,提供一種基板固定裝置,其特征在于,具有:底板;設置在所述底板上的發熱部;及設置在所述發熱部上的靜電卡盤。所述發熱部具備:發熱體;配置在比所述發熱體還靠近所述靜電卡盤的一側的金屬層;及對所述發熱體和所述金屬層進行覆蓋的絕緣層。所述金屬層由熱傳導率高于所述絕緣層的材料形成。
根據所公開的技術,能夠提供一種可提高靜電卡盤表面的溫度均勻性的基板固定裝置。
附圖說明
圖1是第1實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
圖2A~圖2D是第1實施方式的基板固定裝置的制造步驟例示圖(其1)。
圖3A~圖3C是第1實施方式的基板固定裝置的制造步驟例示圖(其2)。
圖4A~圖4B是第1實施方式的基板固定裝置的制造步驟例示圖(其3)。
圖5A~圖5B是基板固定裝置1的效果說明圖。
圖6A~圖6F是發熱部上所設置的金屬層的圖案的變化例示圖。
其中,附圖標記說明如下:
1 基板固定裝置
10 底板
15 水路
15a 冷卻水導入部
15b 冷卻水排出部
20 粘接層
30 發熱部
31 絕緣層
32 發熱體
33、33A、33B、33C、33D、33E、33F 金屬層
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





