[發(fā)明專利]基板固定裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911193144.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111261571A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 飯島信行;淺川浩行;竹元啟一;原山洋一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 金輝;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固定 裝置 | ||
1.一種基板固定裝置,具有:
底板;
設(shè)置在所述底板上的發(fā)熱部;及
設(shè)置在所述發(fā)熱部上的靜電卡盤,
其中,
所述發(fā)熱部具備
發(fā)熱體;
配置在比所述發(fā)熱體還靠近所述靜電卡盤的一側(cè)的金屬層;及
對(duì)所述發(fā)熱體和所述金屬層進(jìn)行覆蓋的絕緣層,所述金屬層由熱傳導(dǎo)率高于所述絕緣層的熱傳導(dǎo)率的材料形成。
2.如權(quán)利要求1所述的基板固定裝置,其中,
所述金屬層為具有隔著間隙而相鄰的部分的預(yù)定形狀的圖案。
3.如權(quán)利要求2所述的基板固定裝置,其中,
所述預(yù)定形狀的圖案為同心圓狀或渦卷狀的圖案。
4.如權(quán)利要求3所述的基板固定裝置,其中,
所述發(fā)熱體為同心圓狀的圖案。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的基板固定裝置,其中,所述發(fā)熱體和所述金屬層由相同材料形成。
6.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的基板固定裝置,其中,所述金屬層的側(cè)面被所述絕緣層進(jìn)行了覆蓋。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于新光電氣工業(yè)株式會(huì)社,未經(jīng)新光電氣工業(yè)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911193144.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:堆浸
- 下一篇:微型光學(xué)鏡頭、取像裝置及電子裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





