[發明專利]Si鈍化的Ge柵極堆疊體

在審

• 申請號: 201911192022.1
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111354786A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 有村拓晃;A·P·彼得;H·F·W·德克士
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 蔡文清;江磊

1.一種用于形成場效應晶體管的柵極堆疊體的方法，所述方法包括：

a.使Si封蓋層(200)沉積在Ge通道材料(100)上；以及

b.通過等離子體增強沉積技術在200℃或更低的溫度以及100W或更低、優選90W或更低的等離子體功率下，使氧化物層(300)沉積在Si封蓋層(200)上。

2.如權利要求1所述的方法，其中，氧化物層(300)是SiO₂層(300)。

3.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，在步驟b之后獲得的Si封蓋層(200)的厚度為0.1nm至2nm，優選0.2nm至1nm。

4.如前述權利要求中任一所述的方法，其中，步驟b中的等離子體增強沉積技術是等離子體增強化學氣相沉積或等離子體增強原子層沉積。

5.如權利要求4所述的方法，其中，步驟b中的等離子體增強沉積技術是在75℃或更低溫度下實施的等離子體增強原子層沉積。

6.如權利要求4或權利要求5所述的方法，其中，步驟b在45W或更低的等離子體功率下實施。

7.如權利要求4至權利要求6中任一項所述的方法，其中，步驟b在200Pa或更低的壓力下實施。

8.如權利要求4至權利要求7中任一項所述的方法，其中，所述步驟b包括：

b1.沉積原子厚度的前體層，

b2.在氧等離子體中使該前體氧化；以及

b3.重復步驟b1和b2，直至獲得所需的層(300)的厚度。

9.如前述權利要求中任一項所述的方法，所述方法還包括步驟c：在所述層(300)上形成高k介電層。

10.如權利要求9所述的方法，其中，所述高k介電層包含HfO₂。

11.如權利要求9或權利要求10所述的方法，所述方法還包括步驟d：在所述高k介電材料上形成阻擋層。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述阻擋層包含TaN。

13.如權利要求9至權利要求12中任一項所述的方法，所述方法還包括步驟e：如存在阻擋層，則在阻擋層上形成柵極金屬，或者如果不存在阻擋層，則在高k介電材料上形成柵極金屬。

14.如權利要求13所述的方法，其中，所述柵極金屬包括W。

15.一種柵極堆疊體，其能夠通過權利要求1至14中任一項所述的方法獲得。