[發(fā)明專利]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911189439.2 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110797356B | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賴青俊;朱繹樺 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 劉彩紅 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板及顯示裝置,由于第一柵極與第二柵極在襯底基板上的正投影交疊,且第一柵極與第二柵極均位于第一有源層與第二有源層之間,使得第一晶體管和第二晶體管在襯底基板上的正投影存在交疊,而并不是像現(xiàn)有技術(shù)那樣兩種晶體管在襯底基板上的正投影無交疊,如此,可以提高空間的利用率,有利于提高顯示分辨率、以及實現(xiàn)高屏占比和窄邊框的設(shè)計,從而提高顯示效果。并且,通過上述設(shè)置,使得在第一柵極與第二柵極之間產(chǎn)生屏蔽作用,即第一柵極可以屏蔽第二柵極上的信號對第一有源層的干擾,第二柵極可以屏蔽第一柵極上的信號對第二有源層的干擾,進而使得兩種晶體管均可以正常有效地工作,提高顯示裝置的可靠性和穩(wěn)定性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤指一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著技術(shù)的發(fā)展,顯示器的種類也隨之增加,例如包括:液晶顯示器、電致發(fā)光顯示器等。其中,為了使得顯示器能夠?qū)崿F(xiàn)顯示功能,一般包括驅(qū)動電路,驅(qū)動電路中可以包括多個晶體管;為了滿足不同的需求,在設(shè)置晶體管的有源層時,可以采用硅基材料,如低溫多晶硅,或者還可以采用金屬氧化物材料,如銦鎵鋅氧化物。
若在驅(qū)動電路中包括硅基的晶體管和金屬氧化物的晶體管時,由于制作工藝的原因,通常在襯底基板先制作硅基晶體管,再制作金屬氧化物晶體管,且兩種晶體管在襯底基板上的正投影無交疊。如此設(shè)置,雖然可以保證兩種晶體管可以正常工作,但需要占用較多的空間,使得顯示器的空間利用率下降,可能會對顯示器的分辨率和屏占比造成不良影響。
基于此,如何設(shè)置兩種類型的晶體管,以避免對顯示器的分辨率和屏占比造成不良影響,是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及顯示裝置,用以通過對硅基晶體管和金屬氧化物晶體管的設(shè)置,避免對顯示器的分辨率和屏占比造成不良影響,提高顯示效果。
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板,包括:
襯底基板;
以及位于所述襯底基板之上的第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管中的有源層為第一有源層,所述第一有源層采用硅基材料制作;所述第二晶體管中的有源層為第二有源層,所述第二有源層采用金屬氧化物材料制作,所述第一有源層位于所述襯底基板與所述第二有源層之間;
其中,所述第一晶體管中的柵極為第一柵極,所述第二晶體管中的柵極為第二柵極,所述第一柵極與所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影交疊,且所述第一柵極與所述第二柵極均位于所述第一有源層與所述第二有源層之間。
第二方面,本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置,包括顯示面板;
所述顯示面板包括如本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板。
本發(fā)明有益效果如下:
本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板及顯示裝置,由于第一柵極與第二柵極在襯底基板上的正投影交疊,且第一柵極與第二柵極均位于第一有源層與第二有源層之間,使得第一晶體管和第二晶體管在襯底基板上的正投影存在交疊,而并不是像現(xiàn)有技術(shù)那樣兩種晶體管在襯底基板上的正投影無交疊,如此,可以提高空間的利用率,有利于提高顯示分辨率、以及實現(xiàn)高屏占比和窄邊框的設(shè)計,從而提高顯示效果。
并且,通過上述設(shè)置,使得在第一柵極與第二柵極之間產(chǎn)生屏蔽作用,即第一柵極可以屏蔽第二柵極上的信號對第一有源層的干擾,第二柵極可以屏蔽第一柵極上的信號對第二有源層的干擾,進而使得兩種晶體管均可以正常有效地工作,提高顯示裝置的可靠性和穩(wěn)定性。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例中提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例中提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例中提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





