[發明專利]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201911189439.2
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN110797356B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 賴青俊;朱繹樺
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉彩紅

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

以及位于所述襯底基板之上的第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管中的有源層為第一有源層，所述第一有源層采用硅基材料制作；所述第二晶體管中的有源層為第二有源層，所述第二有源層采用金屬氧化物材料制作，所述第一有源層位于所述襯底基板與所述第二有源層之間；

其中，所述第一晶體管中的柵極為第一柵極，所述第二晶體管中的柵極為第二柵極，所述第一柵極與所述第二柵極在所述襯底基板上的正投影交疊，且所述第一柵極與所述第二柵極均位于所述第一有源層與所述第二有源層之間。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：位于所述襯底基板之上的電容，所述電容包括相對而置的第一電極和第二電極；

所述第一柵極復用為所述第一電極，所述第二柵極復用為所述第二電極。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極在所述襯底基板上具有第一投影，所述第二柵極在所述襯底基板上具有第二投影，所述第二投影在所述第一投影內。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二投影的面積小于所述第一投影的面積。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一投影與所述第二投影的形狀相同，且所述第二投影的外輪廓與所述第一投影的外輪廓之間的最大間距為第一距離，所述第一距離小于所述第一投影的第一長度；

其中，所述第一投影為圓形或橢圓形，所述第一長度為所述第一投影的最大直徑；或，所述第一投影為四邊形，所述第一長度為所述第一投影的最大邊長。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一距離大于1微米且小于所述第一長度的三分之一。

7.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二投影的外輪廓與所述第一投影的外輪廓之間任意位置處的間距均相等。

8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：位于所述襯底基板之上的第一導電結構，所述第一導電結構位于所述第一有源層與所述第二有源層之間；

所述第一導電結構用于電連接所述第一有源層與所述第一晶體管中的源/漏極。

9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極的面積大于所述第二柵極的面積，所述第一導電結構與所述第二柵極同材質且同層設置。

10.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管中的源/漏極與所述第二晶體管中的源/漏極同材質且同層設置。

11.如權利要求1-10任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述硅基材料為低溫多晶硅，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括顯示面板；

所述顯示面板包括如權利要求1-11任一項所述的陣列基板。