[發明專利]微波基板與同軸連接器互聯設計方法及互聯設備

有效

• 申請號: 201911188093.4
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111132469B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 張金明;孫建才;黃從喜;張輝;郭建;杜偉;李新勇;郭立濤;曹歡歡;葉云彪
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H05K3/34
• 分類號: H05K3/34
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發明適用于半導體技術領域，公開了一種微波基板與同軸連接器互聯設計方法及互聯設備，該方法包括：在初始基板結構的第一預設位置進行開槽處理得到第一基板結構，初始基板結構包括至少兩層微波基板，第一基板結構在第一預設位置只保留頂層微波基板、第一微波基板以及頂層微波基板和第一微波基板之間的第一介質層，第一微波基板為與頂層微波基板相鄰的微波基板，第一介質層中設置有過渡通孔；在第一基板結構的第一預設位置保留的第一微波基板上連接同軸連接器，使同軸連接器傳輸的微波信號通過過渡通孔從第一微波基板傳輸到頂層微波基板上安裝的器件中。本發明可以有效改善傳輸特性，降低介質損耗，同時不影響多層基板電路局部和器件的安裝。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，尤其涉及一種微波基板與同軸連接器互聯設計方法及互聯設備。

背景技術

當前，微波基板以其集成度高和便于工藝裝配的特點，廣受微波設計師的青睞。微波基板通過與高頻同軸連接器互聯，實現微波信號的對外輸入輸出。

目前，同軸連接器與微波基板的互聯，都是通過同軸連接器上的射頻絕緣子(即金屬內導體)與微波基板頂層基板上的帶線直接互聯來實現。但是，由于產品復雜度和集成度不斷增加，導致微波基板的層數越來越多，而且由于多層微波基板加工工藝、流程和成本原因，多層微波基板的組合往往采用不同材料和特性的微波基板進行混合壓制，造成多層微波基板的每層微波基板的介電常數、厚度和特性都不一樣，距微波參考地面距離增加，導致頂層基板微帶線上的電磁場不連續性增強，整體介質損耗偏大。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種微波基板與同軸連接器互聯設計方法，以解決現有技術實現的微波基板與同軸連接器互聯設計方法閾值電壓較低且電流密度較小的問題。

本發明實施例的第一方面提供了一種微波基板與同軸連接器互聯設計方法，包括：

在初始基板結構的第一預設位置進行開槽處理得到第一基板結構，所述初始基板結構包括至少兩層微波基板，相鄰兩層微波基板之間為介質層，所述第一基板結構在所述第一預設位置只保留頂層微波基板、第一微波基板以及所述頂層微波基板和所述第一微波基板之間的第一介質層，所述第一微波基板為與所述頂層微波基板相鄰的微波基板，所述第一介質層中設置有過渡通孔；

在所述第一基板結構的所述第一預設位置保留的所述第一微波基板上連接同軸連接器，使所述同軸連接器傳輸的微波信號通過所述過渡通孔從所述第一微波基板傳輸到所述頂層微波基板上安裝的器件中。

本發明實施例的第二方面提供了一種微波基板與同軸連接器互聯設備，由第一方面所述的微波基板與同軸連接器互聯設計方法設計得到。

本發明實施例與現有技術相比存在的有益效果是：本發明實施例首先在初始基板結構的第一預設位置進行開槽處理得到第一基板結構，第一基板結構在第一預設位置只保留頂層微波基板、第一微波基板以及頂層微波基板和第一微波基板之間的第一介質層，第一微波基板為與頂層微波基板相鄰的微波基板，第一介質層中設置有過渡通孔，然后在第一基板結構的第一預設位置保留的第一微波基板上連接同軸連接器，使同軸連接器傳輸的微波信號通過過渡通孔從第一微波基板傳輸到頂層微波基板上安裝的器件中；本發明實施例通過在多層基板的基礎上通過開槽處理設計得到一個單層基板結構，使同軸連接器直接與單層基板結構連接，再通過過渡通孔過渡到頂層微波基板與頂層電路和器件連接，可以有效改善傳輸特性，降低介質損耗，同時不影響多層基板電路局部和器件的安裝。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明一實施例提供的微波基板與同軸連接器互聯設計方法的實現流程示意圖；

圖2是本發明一實施例提供的第三基板結構的各個視圖的結構示意圖；