[發(fā)明專利]一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911188041.7 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110911527A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳早;管自生;侯成成;彭曉晨 | 申請(專利權(quán))人: | 南京納鑫新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 石磊 |
| 地址: | 211100 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 穩(wěn)定性 多晶 濕法 黑硅制絨 工藝 | ||
本發(fā)明涉及濕法黑硅電池制備技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,具體步驟包括將多晶金剛線硅片經(jīng)黑硅槽式機(jī),過常規(guī)的初拋去損傷層,沉銀挖孔,一步堿洗脫銀處理后,再通過所配強(qiáng)化酸洗溶液進(jìn)行處理,處理后經(jīng)過擴(kuò)孔,堿洗,酸洗,水洗,烘干,最后將制絨后的硅片,按照正常黑硅電池片生產(chǎn)工藝流程進(jìn)行低壓擴(kuò)散,鏈?zhǔn)奖趁婵涛g,PECVD鍍膜鈍化,絲網(wǎng)印刷和燒結(jié),最終進(jìn)行效率測試和EL在線檢測。該穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,縮短了原來實(shí)際生產(chǎn)中的清洗時間,增加生產(chǎn)的產(chǎn)能,同時也保證了電池外觀和效率無異常。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及濕法黑硅電池制備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝。
背景技術(shù)
隨著金剛線切割技術(shù)的不斷發(fā)展,金剛線切割的多晶硅片已基本取代了傳統(tǒng)的砂漿線切割硅片,同時應(yīng)運(yùn)而生的多晶濕法黑硅技術(shù),也迅速的在企業(yè)中實(shí)現(xiàn)了批量化生產(chǎn),但鑒于目前的濕法黑硅技術(shù)都是需要重金屬(銀和銅等)進(jìn)行表面催化反應(yīng)的,尤其在現(xiàn)有的批量化生產(chǎn)中,考慮到機(jī)械臂之間的帶液情況,這些外引入的金屬如果沒有被較好的清洗掉,大量殘留在機(jī)臺里,甚至在硅片表面上,會在后續(xù)的高溫?cái)U(kuò)散工藝中,進(jìn)入到硅體內(nèi)部形成高密度的復(fù)合中心,造成制程的黑硅電池片效率大幅降低,同時EL(電致發(fā)光electroluminescent)上出現(xiàn)類似于“龜殼狀”的不良結(jié)構(gòu)影像。
因此,有效的增強(qiáng)硅片表面的金屬清洗能力,是提升產(chǎn)線工藝批量生產(chǎn)穩(wěn)定,避免產(chǎn)線效率波動及產(chǎn)線EL不良的有效方式。
發(fā)明內(nèi)容
(一)解決的技術(shù)問題
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝具備,縮短了原來實(shí)際生產(chǎn)中的清洗時間,增加生產(chǎn)的產(chǎn)能,同時也保證了電池外觀和效率無異常,解決了上述背景技術(shù)中提出的問題。
(二)技術(shù)方案
為實(shí)現(xiàn)上述的目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,具體步驟包括將多晶金剛線硅片經(jīng)黑硅槽式機(jī),過常規(guī)的初拋去損傷層,沉銀挖孔,一步堿洗脫銀處理后,再通過所配強(qiáng)化酸洗溶液進(jìn)行處理,處理后經(jīng)過擴(kuò)孔,堿洗,酸洗,水洗,烘干,最后將制絨后的硅片,按照正常黑硅電池片生產(chǎn)工藝流程進(jìn)行低壓擴(kuò)散,鏈?zhǔn)奖趁婵涛g,PECVD鍍膜鈍化,絲網(wǎng)印刷和燒結(jié),最終進(jìn)行效率測試和EL在線檢測。
優(yōu)選的,所述強(qiáng)力酸洗槽鹽酸體積分?jǐn)?shù)最佳占地為10%~15%,雙氧水最佳占比為2%~5%,肌醇六磷酸等機(jī)磷酸類化合物最佳占比為0.05%~0.15%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于:所述黑硅槽式機(jī)以每小時6000片產(chǎn)能的情況下,強(qiáng)力清洗的酸槽最佳工藝參數(shù)優(yōu)選為,浸泡清洗時間120~150s,溫度可以控制在常溫25度左右,且在以上條件下,可以有效的控制經(jīng)過強(qiáng)酸洗的硅片反射率在5.5~6.5,以6.0最佳。
優(yōu)選的,所述黑硅槽式機(jī)以每小時7000片產(chǎn)能的情況下,強(qiáng)力清洗的酸槽最佳工藝參數(shù)優(yōu)選為,浸泡清洗時間90~120s,溫度需控制控制在40度左右,且在以上條件下,可以有效的控制經(jīng)過強(qiáng)酸洗的硅片反射率在5.5~6.5,以6.0最佳。
優(yōu)選的,所述黑硅槽式機(jī)在正常穩(wěn)定生產(chǎn)的條件下,強(qiáng)力酸洗槽中各藥液試劑的過程補(bǔ)加,以鹽酸每批20~100ml/400pcs,雙氧水每批20~100ml/400pcs,肌醇六磷酸等機(jī)磷酸類化合物每批2~30g最佳。
優(yōu)選的,所述黑硅制絨完全結(jié)束后,整體制絨后減重控制在0.3~0.38g最佳,同時相應(yīng)電池后道工序進(jìn)行工藝匹配,擴(kuò)散方阻不低100Ω,濕法刻蝕減重最佳控制0.13g。
(三)有益效果
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供了一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,具備以下有益效果:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





