[發(fā)明專利]一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911188041.7 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110911527A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳早;管自生;侯成成;彭曉晨 | 申請(專利權)人: | 南京納鑫新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京挺立專利事務所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 石磊 |
| 地址: | 211100 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 穩(wěn)定性 多晶 濕法 黑硅制絨 工藝 | ||
1.一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于,具體步驟包括將多晶金剛線硅片經(jīng)黑硅槽式機,過常規(guī)的初拋去損傷層,沉銀挖孔,一步堿洗脫銀處理后,再通過所配強化酸洗溶液進行處理,處理后經(jīng)過擴孔,堿洗,酸洗,水洗,烘干,最后將制絨后的硅片,按照正常黑硅電池片生產(chǎn)工藝流程進行低壓擴散,鏈式背面刻蝕,PECVD鍍膜鈍化,絲網(wǎng)印刷和燒結(jié),最終進行效率測試和EL在線檢測。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于:所述強力酸洗槽鹽酸體積分數(shù)最佳占地為10%~15%,雙氧水最佳占比為2%~5%,肌醇六磷酸等機磷酸類化合物最佳占比為0.05%~0.15%。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于:所述黑硅槽式機以每小時6000片產(chǎn)能的情況下,強力清洗的酸槽最佳工藝參數(shù)優(yōu)選為,浸泡清洗時間120~150s,溫度可以控制在常溫25度左右,且在以上條件下,可以有效的控制經(jīng)過強酸洗的硅片反射率在5.5~6.5,以6.0最佳。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于:所述黑硅槽式機以每小時7000片產(chǎn)能的情況下,強力清洗的酸槽最佳工藝參數(shù)優(yōu)選為,浸泡清洗時間90~120s,溫度需控制控制在40度左右,且在以上條件下,可以有效的控制經(jīng)過強酸洗的硅片反射率在5.5~6.5,以6.0最佳。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于:所述黑硅槽式機在正常穩(wěn)定生產(chǎn)的條件下,強力酸洗槽中各藥液試劑的過程補加,以鹽酸每批20~100ml/400pcs,雙氧水每批20~100ml/400pcs,肌醇六磷酸等機磷酸類化合物每批2~30g最佳。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種穩(wěn)定性高的多晶濕法黑硅制絨工藝,其特征在于:所述黑硅制絨完全結(jié)束后,整體制絨后減重控制在0.3~0.38g最佳,同時相應電池后道工序進行工藝匹配,擴散方阻不低100Ω,濕法刻蝕減重最佳控制0.13g。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





