[發(fā)明專利]一種用于5G光模塊的陶瓷薄膜電路表面選擇性制備金錫共晶焊料的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911187645.X
• 申請(qǐng)日: 2019-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN110856374A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 商煒;于莎莎;夏俊峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/34
• 分類號(hào): H05K3/34
• 代理公司: 蘇州國卓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32331
• 代理人: 劉靜宇

本發(fā)明涉及一種用于5G光模塊的陶瓷薄膜電路表面選擇性制備金錫共晶焊料的方法，通過此方法，其金錫合金不僅具有良好的潤濕性、焊接性和抗腐蝕性，同時(shí)其穩(wěn)定性也較高。本發(fā)明制備得到的金錫焊料，能夠在指定位置得到表面光亮致密的金錫鍍層，金層和錫層厚度可控，金錫共晶后浸潤性好，可滿足不同的封裝需求，形成的共晶合金熔點(diǎn)在280℃±0.2℃，并且金錫合金焊料可以預(yù)置在薄膜電路上，提高封裝的準(zhǔn)確率和成品率，滿足小芯片焊接要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微型陶瓷產(chǎn)品領(lǐng)域，尤其涉及一種用于5G光模塊的陶瓷薄膜電路表面選擇性制備金錫共晶焊料的方法。

背景技術(shù)

目前國內(nèi)陶瓷表面金錫焊料大都是通過金錫焊料預(yù)成型片或者電鍍沉積方法即電鍍。金錫合金焊料熔點(diǎn)低，對(duì)微電子器件鍍金層無熔蝕作用，具有高的接頭強(qiáng)度、優(yōu)良的耐蝕性、高的導(dǎo)熱性和耐熱沖擊性，是多種高可靠電子器件通用的釬接材料。目前產(chǎn)品趨于微型化，金錫焊料預(yù)成型片在合金狀態(tài)的Au80Sn20由六方晶格相和金屬間化合物組成，呈脆性，難以沖壓成型和加工成較薄的箔片，小尺寸對(duì)位在焊接芯片時(shí)容易對(duì)位有偏差，發(fā)生錯(cuò)位移動(dòng)等；電鍍沉積方法其配方多為氰化金等氰化物體系，對(duì)環(huán)境污染嚴(yán)重且鍍液的穩(wěn)定性差，易分解。因此，需要一種穩(wěn)定性好的，適用范圍廣的用于5G光模塊的陶瓷薄膜電路表面選擇性制備金錫共晶焊料的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問題在于提供一種穩(wěn)定性好的，適用范圍廣的用于5G光模塊的陶瓷薄膜電路表面選擇性制備金錫共晶焊料的方法。

為實(shí)現(xiàn)所述技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：本發(fā)明涉及了一種用于5G光模塊的陶瓷薄膜電路表面選擇性制備金錫共晶焊料的方法，包括以下步驟：

S1:在陶瓷基板上制作薄膜金屬化圖形；

S2:在薄膜金屬化表面指定區(qū)域通過光刻技術(shù)留出金錫圖形區(qū)域；

S3：在薄膜電路表面預(yù)留的金屬層上通過真空蒸鍍金錫；

S4：處理得到含有制定位置的金錫的陶瓷薄膜電路。

本發(fā)明的有益效果是，通過此方法，其金錫合金不僅具有良好的潤濕性、焊接性和抗腐蝕性，同時(shí)其穩(wěn)定性也較高。本發(fā)明制備得到的金錫焊料，能夠在指定位置得到表面光亮致密的金錫鍍層，金層和錫層厚度可控，金錫共晶后浸潤性好，可滿足不同的封裝需求，形成的共晶合金熔點(diǎn)在280℃±0.2℃，并且金錫合金焊料可以預(yù)置在薄膜電路上，提高封裝的準(zhǔn)確率和成品率，滿足小芯片焊接要求。

進(jìn)一步的，所述步驟S1還包括以下步驟：

A1:將陶瓷基板放置在工作臺(tái)上，陶瓷基板四周進(jìn)行固定，避免工作中產(chǎn)生晃動(dòng)；

A2:在陶瓷基板上制作薄膜金屬化，陶瓷基板邊緣預(yù)留一定的距離。

進(jìn)一步的，所述S2中還包括以下步驟：

B1:薄膜金屬化表面指定區(qū)域進(jìn)行光刻，光刻過程中與薄膜金屬化表面進(jìn)行貼合光刻，且預(yù)留出金錫圖形區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述步驟S3中還包括以下步驟：

C1:在薄膜電路表面預(yù)留的金屬層上通過真空蒸鍍金錫，金錫厚度與光刻區(qū)域厚度相等；

C2:在光刻區(qū)域的上端進(jìn)行真空蒸鍍金錫。

進(jìn)一步的，所述步驟S4還包括以下步驟：

D1:去掉光刻區(qū)域以及光刻區(qū)域上的金錫；

D2:預(yù)留出的金錫四周清理干凈。