[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201911186664.0
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN110993697B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 蔡振飛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

本申請公開了一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板。該薄膜晶體管包括：柵電極；絕緣層，位于襯底基板上且覆蓋柵電極；有源層，位于絕緣層上且對應柵電極；源電極和漏電極，同層間隔設置于絕緣層上，以及分別設置于所述絕緣層的兩側；晶化誘導金屬層，位于有源層上，所述晶化誘導金屬層位于源電極和漏電極之間，并與源電極和漏電極間隔設置?；诖耍旧暾埬軌蛱岣弑∧ぞw管的電子遷移率。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，更具體地說，涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)或無機發光二極管，等平面顯示裝置因具有高畫質、省電及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

這些顯示裝置通常使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)來控制信號輸入到每個像素中，適合于巨大信號量的處理，以實現動態圖像，故此類顯示裝置也稱為TFT平板顯示器。在TFT平板顯示器中，在襯底基板上形成有由半導體構成的有源層，在有源層上形成有柵絕緣層以覆蓋有源層，柵電極形成在柵絕緣層上。柵電極由介電層(InterLayer Dielectrics,ILD，又稱層間介電層)覆蓋，且在柵絕緣層和介電層中形成接觸孔，通過該接觸孔暴露有源層的源極/漏極區。在介電層上形成源極/漏極。源極/漏極通過接觸孔與有源層的源極/漏極區相連。當形成源極/漏極時，一起形成了平板顯示器的各種信號互連。

隨著顯示技術逐漸朝著大尺寸、高分辨率、高刷新率迅速發展，薄膜晶體管的電子遷移率的提高成為亟需改善的問題，傳統的BCE(背溝道蝕刻型)結構薄膜晶體管的電子遷移率通常只有1～10，但隨著刷新頻率的不斷提高，像素的充電時間逐漸縮短，這就要求薄膜晶體管的開關速度變快，例如在8K顯示中，通常需要電子遷移率提高到40～50才能保證像素的正常充電，傳統的BCE結構薄膜晶體管已很難滿足。

發明內容

有鑒于此，本申請提供一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板，以解決現有的BCE結構薄膜晶體管的電子遷移率較低的問題。

本申請提供的一種薄膜晶體管，包括：

襯底基板；

柵電極，位于襯底基板上；

絕緣層，位于所述襯底基板上且覆蓋所述柵電極；

有源層，位于所述絕緣層上，對應所述柵電極；

源電極和漏電極，同層間隔設置于所述絕緣層上，以及分別設置于所述絕緣層的兩側；

晶化誘導金屬層，位于所述有源層上，所述晶化誘導金屬層位于所述源電極和漏電極之間，并與所述源電極和漏電極間隔設置。

可選地，所述源電極和漏電極均包括上下疊設的第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層包含晶化誘導材料，所述晶化誘導材料用于誘發有源層晶化。

可選地，所述晶化誘導金屬層具有至少兩層金屬層，彼此之間的材料組成相異。

可選地，所述晶化誘導金屬層的材料配置與所述源電極和所述漏電極的材料配置相同。

可選地，晶化誘導金屬層的厚度與源電極或漏電極的厚度相同。

可選地，所述第二金屬層的材料包括鉭以及鉬鉭合金中的一者，以及所述第一金屬層的材料包括銅。

本申請提供的一種顯示面板，包括上述任一項薄膜晶體管。

本申請提供的一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

提供襯底基板；