[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201911186664.0
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN110993697B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 蔡振飛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃靈飛

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵電極，位于襯底基板上；

絕緣層，位于所述襯底基板上且覆蓋所述柵電極；

有源層，位于所述絕緣層上，對應所述柵電極，所述有源層的材料包括氧化銦鎵鋅；源電極和漏電極，同層間隔設置于所述絕緣層上，以及分別設置于所述絕緣層的兩側；

所述源電極和漏電極均包括上下疊設的第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層包含晶化誘導材料，所述晶化誘導材料用于誘發有源層晶化，所述晶化誘導材料包括鉭以及鉬鉭合金中的一者；

晶化誘導金屬層，位于所述有源層上，所述晶化誘導金屬層位于所述源電極和漏電極之間，并與所述源電極和漏電極間隔設置；

所述晶化誘導金屬層的材料配置與所述第一金屬層相同、或所述晶化誘導金屬層的材料配置與所述第二金屬層相同、或所述晶化誘導金屬層的材料配置為上下疊設的所述第一金屬層和所述第二金屬層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶化誘導金屬層的材料配置與所述源電極和所述漏電極的材料配置相同。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶化誘導金屬層的厚度與所述源電極或所述漏電極的厚度相同。

4.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬層的材料包括銅。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如上述權利要求1～4任一項所述的薄膜晶體管。

6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上形成柵電極；

在所述襯底基板上形成覆蓋所述柵電極的絕緣層；

在所述絕緣層上形成對應所述柵電極的有源層，所述有源層的材料包括氧化銦鎵鋅；

在所述絕緣層上形成源電極、漏電極和晶化誘導金屬層，所述源電極和漏電極同層間隔設置于所述絕緣層上以及分別設置于所述絕緣層的兩側，所述源電極和漏電極均包括上下疊設的第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層包含晶化誘導材料，所述晶化誘導材料用于誘發有源層晶化，所述晶化誘導材料包括鉭以及鉬鉭合金中的一者；所述晶化誘導金屬層位于所述源電極和漏電極之間，并與所述源電極和漏電極間隔設置；所述晶化誘導金屬層的材料配置與所述第一金屬層相同、或所述晶化誘導金屬層的材料配置與所述第二金屬層相同、或所述晶化誘導金屬層的材料配置為上下疊設的所述第一金屬層和所述第二金屬層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述絕緣層上形成源電極、漏電極和晶化誘導金屬層這一步驟，包括：

在所述絕緣層上依次形成第二金屬層和第一金屬層，所述第二金屬層包含晶化誘導材料，所述晶化誘導材料用于誘發有源層晶化；

對所述第一金屬層和第二金屬層進行刻蝕，以形成源電極、漏電極和晶化誘導金屬層。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述絕緣層上形成源電極、漏電極和晶化誘導金屬層這一步驟，包括：

在所述絕緣層上涂布第二金屬層并刻蝕形成晶化誘導金屬層；

在所述絕緣層上形成覆蓋所述有源層的第一金屬層；

對所述第一金屬層進行刻蝕，以形成源電極和漏電極。