[發明專利]一種CMOS功放的過壓保護電路及過壓保護方法在審
| 申請號： | 201911184087.1 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110838825A | 公開（公告）日： | 2020-02-25 |
| 發明（設計）人： | 李露露;高自立;鄒亮 | 申請（專利權）人： | 珠海復旦創新研究院 |
| 主分類號： | H03F1/52 | 分類號： | H03F1/52 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鵬飛 |
| 地址： | 519000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmos 功放 保護 電路 方法 | ||
1.一種CMOS功放的過壓保護電路，其特征在于，包括疊管電路、電壓傳感器、電壓限幅器以及減法器；
所述疊管電路的一端分別與所述電壓傳感器和所述電壓限幅器連接，所述疊管電路的另一端與所述減法器連接。
2.根據權利要求1所述的一種CMOS功放的過壓保護電路，其特征在于，所述疊管電路包括MOS管M1、MOS管M2和電感L1；
所述MOS管M1的柵極與所述減法器連接，所述MOS管M1的源極接地，所述MOS管M1的漏極與所述MOS管M2的源極連接；
所述MOS管M2的柵極與所述電壓限幅器連接，所述MOS管M2的漏極與所述電感L1連接，所述電壓傳感器的一端與所述MOS管M2的漏極連接，其另一端與所述MOS管M2的柵極連接。
3.根據權利要求2所述的一種CMOS功放的過壓保護電路，其特征在于，所述電壓限幅器包括多個二極管，多個所述二極管串聯連接。
4.一種CMOS功放的過壓保護方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：實時采集CMOS功放的輸出電壓Vout，并將采集到的輸出電壓Vout與預設的電壓閾值進行比較，當輸出電壓Vout超過電壓閾值時，輸出電壓V1作用至MOS管M2的柵極；
步驟2：將輸入MOS管M2柵極的電壓VCAS與限幅電壓VLIM1實時對比，控制輸入MOS管M2柵極的電壓在限幅電壓VLIM1的范圍內；
步驟3：將電壓V1與限幅電壓VLIM2實時比對，通過反饋調節CMOS功放的電流，進而對CMOS功放的輸出電壓進行調節。
5.根據權利要求4所述的一種CMOS功放的過壓保護方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：
步驟201：當輸入MOS管M2柵極的電壓VCAS小于或等于限幅電壓VLIM1時，VCAS由電壓V1和其偏置電壓VB2決定；
步驟202：當輸入MOS管M2柵極的電壓VCAS大于限幅電壓VLIM1時，VCAS由限幅電壓VLIM1決定。
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