[發明專利]半導體結構的制造方法及計算機可讀取存儲媒體

在審

• 申請號: 201911182275.0
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN112864042A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 粘群;張廣興;吳志強
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

1.一種半導體結構的制造方法，包含：

取得半導體結構的預設工藝參數；

將所述半導體結構分為多個單元；

將第一參數分配給所述單元的一部分，以及將第二參數分配給所述單元的另一部分；

分別取得第一模擬事件及第二模擬事件；

進行工藝模擬，所述工藝模擬是針對具有所述第一參數的所述單元，進行所述第一模擬事件，以及針對具有所述第二參數的所述單元，進行所述第二模擬事件；

依據模擬結果，調整所述預設工藝參數；及

進行所述半導體結構的工藝。

2.根據權利要求1所述的制造方法，更包含：

判斷所述工藝模擬是否有沖突(conflict)事件。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其中所述沖突事件包括進行所述第一模擬事件的所述單元其中之一與進行所述第二模擬事件的所述單元其中之一之間的距離為特定距離。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其中如果判斷為是，那么取消位在所述特定距離內的所述單元其中之一的所述第一模擬事件或所述第二模擬事件。

5.一種半導體結構的制造方法，包含：

依據預設工藝參數，進行所述半導體結構的工藝；

取得工藝參數；

將所述半導體結構分為多個單元；

將第一參數分配給所述單元的一部分，以及將第二參數分配給所述單元的另一部分；

根據所述工藝參數，分別取得第一模擬事件及第二模擬事件；

進行工藝模擬，所述工藝模擬是針對具有所述第一參數的所述單元，進行所述第一模擬事件，以及針對具有所述第二參數的所述單元，進行所述第二模擬事件；

取得模擬結果；及

依據所述模擬結果，調整所述預設工藝參數。

6.根據權利要求5所述的制造方法，更包含：

判斷所述工藝模擬是否有沖突(conflict)事件。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其中所述沖突事件包括進行所述第一模擬事件的所述單元其中之一與進行所述第二模擬事件的所述單元其中之一之間的距離為特定距離。

8.根據權利要求5所述的制造方法，其中更包括：

依據調整后的所述預設工藝參數，進行所述半導體結構的所述工藝。

9.一種計算機可讀取存儲媒體，存儲至少一程序，當計算機加載所述程序并執行后，能夠完成一種半導體工藝的模擬方法，所述模擬方法包含：

取得半導體結構的預設工藝參數；

將所述半導體結構分為多個單元；

將第一參數分配給所述單元的一部分，以及將第二參數分配給所述單元的另一部分；

分別取得第一模擬事件及第二模擬事件；

進行工藝模擬，所述工藝模擬是針對具有所述第一參數的所述單元，進行所述第一模擬事件，以及針對具有所述第二參數的所述單元，進行所述第二模擬事件；及

取得模擬結果。

10.根據權利要求9所述的存儲媒體，更包含：

判斷所述工藝模擬是否有沖突(conflict)事件。