[發(fā)明專利]基片載置臺、基片處理裝置和基片載置臺的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911181295.6
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN111276426B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 南雅人;佐佐木芳彥
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發(fā)明提供基片載置臺及其制造方法以及基片處理裝置。一種在處理容器內(nèi)載置基片的基片載置臺，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的靜電吸盤，在上述靜電吸盤的靜電吸盤上表面中，形成有載置上述基片的覆蓋層，上述覆蓋層由維氏硬度在150Hv至500Hv的范圍的金屬氟化物、金屬氧化物或者金屬氟氧化物形成，上述覆蓋層之中載置上述基片的載置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范圍。本發(fā)明在對FPD用的基片進(jìn)行蝕刻處理等時，有利于抑制在載置在基片載置臺的基片的背面中產(chǎn)生傷痕。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基片載置臺、基片處理裝置和基片載置臺的制造方法。

背景技術(shù)

專利文獻(xiàn)1公開了一種靜電吸盤，其在基材上具有由氧化鋁熱噴涂膜形成的第1絕緣層和第2絕緣層，在第2絕緣層上形成有由具有與基材的線膨脹系數(shù)之差的絕對值在規(guī)定值以下的線膨脹系數(shù)的陶瓷熱噴涂膜形成的第3絕緣層。作為陶瓷熱噴涂膜的材質(zhì)，在基材為鋁的情況下，能夠使用例如YF₃、MgO、2MgO·SiO₂等。利用專利文獻(xiàn)1公開的靜電吸盤和具有該靜電吸盤的基片處理裝置，能夠抑制絕緣層的裂縫的產(chǎn)生。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第4994121號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明提供在平板顯示器(Flat Panel Display，以下稱為“FPD”)的制造過程中對FPD用的基片進(jìn)行蝕刻處理等時，有利于抑制載置在基片載置臺的基片的背面中產(chǎn)生傷痕的基片載置臺及其制造方法以及基片處理裝置。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一個方式提供一種在處理容器內(nèi)載置基片的基片載置臺，其中：

包括基材和形成于上述基材的基材上表面的靜電吸盤，

在上述靜電吸盤的靜電吸盤上表面中，形成有載置上述基片的覆蓋層，

上述覆蓋層由維氏硬度在150Hv至500Hv的范圍的金屬氟化物、金屬氧化物或者金屬氟氧化物形成，

上述覆蓋層之中載置上述基片的載置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范圍。

發(fā)明效果

依照本發(fā)明，能夠提供在對FPD用的基片進(jìn)行蝕刻處理等時，有利于抑制載置在基片載置臺的基片的背面中產(chǎn)生傷痕的基片載置臺及其制造方法以及基片處理裝置。

附圖說明

圖1是表示實施方式的基片處理裝置的一例的截面圖。

圖2是表示第1實施方式的基片載置臺的一例的截面圖。

圖3是表示第2實施方式的基片載置臺的一例的截面圖。

圖4是表示第3實施方式的基片載置臺的一例的截面圖。

圖5是表示第4實施方式的基片載置臺的一例的截面圖。

圖6是表示第5實施方式的基片載置臺的一例的截面圖。

圖7是表示第6實施方式的基片載置臺的一例的截面圖。

附圖標(biāo)記說明

10 處理容器

60 基片載置臺

63 基材

66 靜電吸盤

67 覆蓋層

67a 載置面