[發(fā)明專利]基片載置臺、基片處理裝置和基片載置臺的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911181295.6
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN111276426B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 南雅人;佐佐木芳彥
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種在處理容器內(nèi)載置基片的基片載置臺，其特征在于：

包括基材和形成于所述基材的基材上表面的靜電吸盤，

在所述靜電吸盤的靜電吸盤上表面中，形成有載置所述基片的覆蓋層，

所述覆蓋層由維氏硬度在150Hv至500Hv的范圍的金屬氟化物、金屬氧化物或者金屬氟氧化物形成，

所述覆蓋層之中載置所述基片的載置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范圍。

2.如權(quán)利要求1所述的基片載置臺，其特征在于：

所述靜電吸盤上表面包括周邊區(qū)域和比所述周邊區(qū)域向下方凹陷的中央?yún)^(qū)域，

所述覆蓋層在所述中央?yún)^(qū)域形成為中央層，所述中央層的全部區(qū)域具有所述表面粗糙度。

3.如權(quán)利要求2所述的基片載置臺，其特征在于：

在所述周邊區(qū)域與所述中央層之間具有槽。

4.如權(quán)利要求1所述的基片載置臺，其特征在于：

所述靜電吸盤上表面是平坦的，

所述覆蓋層包括具有所述表面粗糙度的中央層和處于所述中央層的外周且表面平滑的外周層，

所述覆蓋層形成在平坦的所述靜電吸盤上表面。

5.如權(quán)利要求4所述的基片載置臺，其特征在于：

在所述中央層與所述外周層之間具有槽。

6.如權(quán)利要求4或5所述的基片載置臺，其特征在于：

在所述靜電吸盤的周圍配置有由絕緣材料形成的矩形部件，

所述覆蓋層在所述上表面沿水平方向延伸，并且在所述靜電吸盤與所述矩形部件之間沿鉛垂方向延伸。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的基片載置臺，其特征在于：

所述覆蓋層是連續(xù)的層。

8.如權(quán)利要求2至6中任一項所述的基片載置臺，其特征在于：

所述中央層由隔開間隔而斷續(xù)的多個凸部形成。

9.如權(quán)利要求2至6中任一項所述的基片載置臺，其特征在于：

所述中央層由在基部連續(xù)的多個凸部形成。

10.如權(quán)利要求1至9中任一項所述的基片載置臺，其特征在于：

所述覆蓋層主要由Y₂O₃、YOF、MgF₂、YF₃、CaF₂或者Bi₂O₃的任意者形成。

11.如權(quán)利要求1至10中任一項所述的基片載置臺，其特征在于：

所述靜電吸盤由陶瓷層和埋設(shè)于所述陶瓷層的內(nèi)部的導電層形成。

12.一種基片處理裝置，其特征在于：

包括處理容器和在所述處理容器內(nèi)載置基片的基片載置臺，

所述基片載置臺包括基材和形成于所述基材的基材上表面的靜電吸盤，

在所述靜電吸盤的靜電吸盤上表面中，形成有載置所述基片的覆蓋層，

所述覆蓋層由維氏硬度在150Hv至500Hv的范圍的金屬氟化物、金屬氧化物或者金屬氟氧化物形成，

所述覆蓋層之中載置所述基片的載置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范圍。

13.如權(quán)利要求12所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述覆蓋層主要由Y₂O₃、YOF、MgF₂、YF₃、CaF₂或者Bi₂O₃的任意者形成。

14.如權(quán)利要求12或13所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述靜電吸盤由陶瓷層和埋設(shè)于所述陶瓷層的內(nèi)部的導電層形成。