[發明專利]從襯底斜面邊緣區域去除金屬沉積物的方法以及使用該方法的設備

在審

• 申請號: 201911181159.7
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN112864000A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 陳才干;華雪鋒;遲玉山
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L43/08
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種從襯底的斜面邊緣區域去除金屬沉積物的方法，包括：

在所述襯底的斜面邊緣區域上沉積犧牲層，所述襯底具有正面和背面；

在所述襯底和所述犧牲層上沉積金屬層；

蝕刻所述犧牲層上的所述金屬層；和

將所述襯底放置在具有濕蝕刻流體的濕蝕刻設備中，以去除所述襯底背面的所述犧牲層和所述犧牲層上的所述金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層的沉積和所述金屬層的蝕刻在同一設備中執行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層沉積在所述襯底的正面的從所述襯底的最外周斜面邊緣到從所述襯底的最外周斜面邊緣開始的正面沉積距離之間區域以及從所述襯底的最外周斜面邊緣到從所述襯底的最外周斜面邊緣開始的背面沉積距離之間的區域，并且所述背面沉積距離大于所述正面沉積距離。

4.根據權利要求1-3中的任一項所述的方法，其中，所述犧牲層的所述背面沉積距離距最外周的斜面邊緣等于或大于約2毫米，并且所述犧牲層的所述正面沉積距離距最外周的斜面邊緣等于或小于2毫米。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述金屬層僅部分地覆蓋所述襯底的背面處的所述犧牲層，并且所述犧牲層的至少一部分在所述襯底的背面處暴露于所述濕法蝕刻流體中。

6.如權利要求1所述的方法，還包括用所述濕法蝕刻流體蝕刻所述襯底，其中，在用所述濕法蝕刻流體蝕刻所述襯底之后，所述犧牲層的一部分保留在所述襯底的正面。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將所述襯底放置在所述濕法蝕刻設備中包括將所述襯底的背面向上放置。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在所述犧牲層上蝕刻所述金屬層包括在所述襯底的正面選擇性地執行濕法蝕刻以去除在所述襯底的正面處的所述金屬層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中在所述犧牲層上蝕刻所述金屬層包括使用靠近所述最外周斜面邊緣區域附近的等離子體來選擇性地執行干法蝕刻。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述干法蝕刻的強度和/或持續時間對應于所述犧牲層的厚度。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，其中，所述金屬層是磁性隧道結層，并且所述犧牲層是氧化物層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述金屬層包含Pt、Ru、鈦-鎳氧化物、銅和/或銀。

13.一種從襯底的斜面邊緣區域去除金屬沉積物的設備，該設備包括一個或多個處理室，以及

上工藝排斥區環和下工藝排斥區環，所述上工藝排斥區環和下工藝排斥區環分別可定位成接近所述襯底的正面的表面和所述襯底的背面的表面，其中所述上工藝排斥區環和下工藝排斥區環被獨立選擇以暴露所述襯底的正面和所述襯底的背面的不同輪廓以進行處理，以及控制器，該控制器包括一個或多個處理器，該一個或多個處理器與存儲器通信連接并且與所述上工藝排斥區環和下工藝排斥區環通信連接，其中所述存儲器包括計算機可執行指令，該指令用于使所述上工藝排斥區環和下工藝排斥區環露出所述襯底的正面和背面的輪廓，以用于

在所述襯底的斜面邊緣區域上沉積犧牲層；

在所述襯底和所述犧牲層上沉積金屬層；

蝕刻所述犧牲層上的所述金屬層；和

將所述襯底放置在具有濕蝕刻流體的濕蝕刻設備中，以去除所述襯底背面的所述犧牲層和所述犧牲層上的所述金屬層。