[發明專利]一種晶體拋光方法

在審

• 申請號: 201911180847.1
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN110834264A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 陳琳;張明文;潘永志;龍洪波;陳堅
• 申請（專利權）人: 湖南大合新材料有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B08B3/12
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 曾志鵬

本發明公開了一種晶體拋光方法，涉及拋光領域，包括以下步驟，準備好待拋光晶體，對待拋晶體的待拋光面進行拋光處理；將拋光完成的晶體放置于清洗液中，通過超聲波對其進行清洗；將清洗后的晶體放置于烘干箱中進行烘干；將烘干后的晶體放置于保溫箱中，保存1至2小時后，晶體隨保溫箱空冷至室溫取出；在拋光后，通過超聲波進行清洗，避免了在清洗時晶體之間相互碰撞，減少了由于碰撞造成晶體表面缺陷或內部裂紋的可能，同時在晶體清洗后，引入了熱處理的方法，主動利用退火處理表面缺陷，從而得到更理想的晶體表面。

技術領域

本發明涉及拋光領域，特別涉及一種晶體拋光方法。

背景技術

現階段主要應用的拋光技術有：傳統的機械拋光、化學拋光、電解拋光等；最新的化學機械拋光(CMP)、磁控拋光、流體拋光、超聲拋光等。拋光不僅增加工件的美觀，而且能夠改善材料表面的耐腐蝕性、耐磨性及獲得特殊性能。在電子設備、精密機械、儀器儀表、光學元件、醫療器械等領域應用廣泛，選擇合適的拋光方法和拋光工藝是提高產品質量的重要手段，比如說機械拋光，依靠切削、材料表面塑性變形去掉被拋光面的凸部而得到平滑面。作為傳統的拋光工藝，有著完善的工藝流程。

本申請人發現：現有的拋光技術，雖然已經能將表面處理的很光滑，但是依然存在表面缺陷或者內部裂紋等問題，而這些問題有可能影響到晶體的性能，嚴重時使浸提器件失效。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提出一種晶體拋光方法，以解決現有技術中現有的拋光技術，雖然已經能將表面處理的很光滑，但是依然存在表面缺陷或者內部裂紋等問題，而這些問題有可能影響到晶體的性能，嚴重時使浸提器件失效的技術問題。

基于上述目的本發明提供的一種晶體拋光方法，包括以下步驟，步驟一：準備好待拋光晶體，對待拋晶體的待拋光面進行拋光處理；

步驟二：將拋光完成的晶體放置于清洗液中，通過超聲波對其進行清洗；

步驟三：將清洗后的晶體放置于烘干箱中進行烘干；

步驟四：將烘干后的晶體放置于保溫箱中，保存1至2小時后，晶體隨保溫箱空冷至室溫取出；

進一步的，步驟一中對晶體進行化學機械拋光處理，包括：

將晶體固定于拋光機中；

選取合適的粗拋光片；

對晶體進行粗拋光；

選取合適的精拋光片；

對晶體進行細拋光。

進一步的，在對晶體進行化學機械拋光處理的過程中不斷將拋光液噴射在晶體的拋光表面。

進一步的，在步驟二中，所述超聲波通過超聲波發生器發出，所述超聲波發生器設有若干個，并放置于清洗液中，且所述超聲波發生器的發生端正對晶體表面的不同位置，在步驟二的一次清洗周期完成后，更換清洗液。

進一步的，在步驟三中，所述烘干箱中通過紅外燈進行加熱烘干。

進一步的，在步驟四中，所述保溫箱的溫度為10至15攝氏度。

本發明的有益效果：采用本發明的一種晶體拋光方法，在拋光后，通過超聲波進行清洗，避免了在清洗時晶體之間相互碰撞，減少了由于碰撞造成晶體表面缺陷或內部裂紋的可能，同時在晶體清洗后，引入了熱處理的方法，主動利用退火處理表面缺陷，從而得到更理想的晶體表面。

附圖說明

圖1為本發明實施例的具體實施方式的流程示意圖；

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本發明進一步詳細說明。