[發明專利]一種晶體拋光方法在審
| 申請號： | 201911180847.1 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110834264A | 公開（公告）日： | 2020-02-25 |
| 發明（設計）人： | 陳琳;張明文;潘永志;龍洪波;陳堅 | 申請（專利權）人： | 湖南大合新材料有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 曾志鵬 |
| 地址： | 421000 湖南省衡陽*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 拋光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體拋光方法，其特征在于：
步驟一：準備好待拋光晶體，對待拋晶體的待拋光面進行拋光處理；
步驟二：將拋光完成的晶體放置于清洗液中，通過超聲波對其進行清洗；
步驟三：將清洗后的晶體放置于烘干箱中進行烘干；
步驟四：將烘干后的晶體放置于保溫箱中，保存1至2小時后，晶體隨保溫箱空冷至室溫取出。
2.根據權利要求1所述的一種晶體拋光方法，其特征在于：步驟一中對晶體進行化學機械拋光處理，包括：
將晶體固定于拋光機中；
選取合適的粗拋光片；
對晶體進行粗拋光；
選取合適的精拋光片；
對晶體進行細拋光。
3.根據權利要求2所述的一種晶體拋光方法，其特征在于：在對晶體進行化學機械拋光處理的過程中不斷將拋光液噴射在晶體的拋光表面。
4.根據權利要求1所述的一種晶體拋光方法，其特征在于：在步驟二中，所述超聲波通過超聲波發生器發出，所述超聲波發生器設有若干個，并放置于清洗液中，且所述超聲波發生器的發生端正對晶體表面的不同位置，在步驟二的一次清洗周期完成后，更換清洗液。
5.根據權利要求1所述的一種晶體拋光方法，其特征在于：在步驟三中，所述烘干箱中通過紅外燈進行加熱烘干。
6.根據權利要求1所述的一種晶體拋光方法，其特征在于：在步驟四中，所述保溫箱的溫度為10至15攝氏度。
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