[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911176061.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112864094A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金吉松
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8234
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層，所述待刻蝕層上具有第一犧牲膜；

在所述第一犧牲膜上形成若干相互分立的第一側(cè)墻和若干側(cè)墻溝槽，各所述側(cè)墻溝槽位于相鄰的所述第一側(cè)墻之間，若干所述側(cè)墻溝槽中具有第一側(cè)墻溝槽與第二側(cè)墻溝槽，所述第二側(cè)墻溝槽的寬度大于所述第一側(cè)墻溝槽的寬度；

在所述第一側(cè)墻溝槽內(nèi)形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻填充滿(mǎn)所述第一側(cè)墻溝槽；

以所述第一側(cè)墻與所述第二側(cè)墻為掩膜刻蝕所述第一犧牲膜，在所述待刻蝕層上形成若干第一犧牲層；

在所述第一犧牲層側(cè)壁形成第三側(cè)墻。

2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述待刻蝕層為多層結(jié)構(gòu)，所述待刻蝕層包括基底、位于所述基底上的掩膜結(jié)構(gòu)、位于所述掩膜結(jié)構(gòu)上的第一停止層。

3.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的形成方法包括：在所述第一犧牲膜上形成第二停止層，在所述第二停止層上形成若干相互分立的第二犧牲層與若干犧牲層溝槽，各所述犧牲層溝槽位于相鄰的所述第二犧牲層之間，若干所述犧牲層溝槽中具有第一犧牲層溝槽與第二犧牲層溝槽，所述第二犧牲層溝槽的寬度大于所述第一犧牲層溝槽的寬度；在所述第二犧牲層的側(cè)壁形成所述第一側(cè)墻；在形成所述第一側(cè)墻之后，去除所述第二犧牲層。

4.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，在所述第二犧牲層側(cè)壁形成所述第一側(cè)墻的方法包括：在所述第二停止層暴露出的頂部表面、以及所述第二犧牲層的側(cè)壁與頂部表面形成第一側(cè)墻膜；回刻蝕所述第二停止層頂部表面、以及所述第二犧牲層頂部表面的第一側(cè)墻膜，直至暴露出所述第二停止層頂部表面與所述第二犧牲層頂部表面為止，在所述第二犧牲層側(cè)壁形成所述第一側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第一犧牲層溝槽的寬度與所述第一側(cè)墻的厚度之比大于2:1，所述第二犧牲層溝槽的寬度與所述第一側(cè)墻的厚度之比大于2:1。

6.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻膜的形成工藝包括原子層沉積工藝。

7.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，回刻蝕所述第一側(cè)墻膜的采用的工藝包括各向異性的干法刻蝕工藝或各向異性的濕法刻蝕工藝。

8.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻膜的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

9.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第二犧牲層的形成方法包括：在所述第二停止層上形成第二犧牲膜；在所述第二犧牲膜上形成若干相互分立的圖形化結(jié)構(gòu)；以所述圖形化結(jié)構(gòu)為掩膜刻蝕所述第二犧牲膜，直至暴露出所述第二停止層為止，形成所述第二犧牲層；在形成所述第二犧牲層之后，去除所述圖形化結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的形成方法包括：在所述第二停止層暴露出的頂部表面、以及所述第一側(cè)墻的側(cè)壁與頂部表面形成第二側(cè)墻膜；刻蝕所述第二側(cè)墻溝槽表面以及所述第一側(cè)墻頂部表面的所述第二側(cè)墻膜，直至暴露出所述第二停止層頂部表面與所述第一側(cè)墻頂部表面為止，形成所述第二側(cè)墻。

11.如權(quán)利要求10所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻溝槽的寬度與所述第二側(cè)墻的厚度之比小于2:1，且所述第二側(cè)墻溝槽的寬度與所述第二側(cè)墻的厚度之比大于2:1。

12.如權(quán)利要求10所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻膜的形成工藝包括原子層沉積工藝。

13.如權(quán)利要求10所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，刻蝕所述第二側(cè)墻膜的采用的工藝包括各向同性的干法刻蝕工藝或各向同性的濕法刻蝕工藝。