[發明專利]微影制程的關鍵尺寸的監控結構

在審

• 申請號: 201911174109.6
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN112951803A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 王禮謙;劉丞祥;蔡孟弦
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;劉芳

本發明提供一種微影制程的關鍵尺寸的監控結構，包括虛擬圖案層與圖案化光致抗蝕劑層。虛擬圖案層包括虛擬圖案。圖案化光致抗蝕劑層包括位于虛擬圖案上方的至少一個監控標記。監控標記包括彼此相交的第一部分與第二部分。第一部分在第一方向延伸，第二部分在第二方向延伸，且第一方向與第二方向相交。上述微影制程的關鍵尺寸的監控結構可有效地提升監控標記的關鍵尺寸的均勻性。

技術領域

本發明涉及一種監控結構，尤其涉及一種微影制程的關鍵尺寸的監控結構。

背景技術

關鍵尺寸(critical dimension)是微影制程(lithography process)中的關鍵參數(key parameter)。然而，在元件的目標尺寸遠大于微影制程的關鍵尺寸時，將無法準確地得知機臺的制程能力是否產生變動。

因此，目前的做法是在晶圓上設置用以監控微影制程的關鍵尺寸的監控標記。由于監控標記的尺寸與微影制程的關鍵尺寸相近，藉此可得知機臺(如，曝光機臺)的制程能力是否產生變動。

然而，由于在晶圓的不同位置上的監控標記的關鍵尺寸的均勻性不佳，因此容易造成誤判(misjudgment)。

發明內容

本發明提供一種微影制程的關鍵尺寸的監控結構，其可有效地提升監控標記的關鍵尺寸的均勻性。

本發明提出一種微影制程的關鍵尺寸的監控結構，包括虛擬圖案層與圖案化光致抗蝕劑層。虛擬圖案層包括虛擬圖案。圖案化光致抗蝕劑層包括位于虛擬圖案上方的至少一個監控標記。監控標記包括彼此相交的第一部分與第二部分。第一部分在第一方向延伸，第二部分在第二方向延伸，且第一方向與第二方向相交。

基于上述，在本發明所提出的微影制程的關鍵尺寸的監控結構中，由于虛擬圖案位于監控標記下方，因此監控標記下方的環境可與芯片區的環境相似。藉此，可有效地提升位于晶圓的不同位置上的監控標記的關鍵尺寸的均勻性，且能夠防止因監控標記的關鍵尺寸的均勻性不佳而造成的誤判。如此一來，可有效地對微影制程的關鍵尺寸進行監控，且可得知機臺(如，曝光機臺)的制程能力是否產生變動。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1X為本發明一些實施例的微影制程的關鍵尺寸的監控結構的示意圖；

圖2為本發明一實施例的晶圓的曝光區域圖(shop map)；

圖3為圖2中的曝光區的放大圖；

圖4A至圖4X為本發明另一些實施例的微影制程的關鍵尺寸的監控結構的示意圖。

附圖標記說明

100、100a：監控結構

102：虛擬圖案層

104：圖案化光致抗蝕劑層

106：虛擬圖案

108：陣列圖案

110：單元圖案

112、112a：監控標記

114、114a：襯墊圖案

D1：第一方向

D2：第二方向

P1：第一部分

P2：第二部分

R：芯片區

S：曝光區

SL：切割道

W：晶圓

具體實施方式