[發(fā)明專利]扇出型半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911171907.3
• 申請(qǐng)日: 2019-11-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111341733A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李昌普;吳俊錫;樸炳律
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/485
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉雪珂;孫麗妍

本發(fā)明提供一種扇出型半導(dǎo)體封裝件，所述扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：框架，包括一個(gè)或更多個(gè)絕緣層并且具有貫穿部；半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述貫穿部中并且具有連接墊；連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片的下側(cè)并且包括重新分布層；第一包封劑，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的背表面以及所述框架的所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層中的最上層的絕緣層的頂表面的第一區(qū)域，并且在所述貫穿部的側(cè)壁與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面之間延伸；以及第二包封劑，覆蓋所述框架的所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層中的所述最上層的絕緣層的所述頂表面的第二區(qū)域，并且與所述第一包封劑的在所述框架上的側(cè)表面接觸。

本申請(qǐng)要求于2018年12月19日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0165418號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝件，例如，一種扇出型半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

近來(lái)，與半導(dǎo)體芯片相關(guān)的技術(shù)的發(fā)展的明顯趨勢(shì)是減小組件的尺寸。因此，在封裝技術(shù)的領(lǐng)域中，根據(jù)對(duì)小型半導(dǎo)體芯片等的需求的快速增加，需要半導(dǎo)體封裝件在實(shí)現(xiàn)多個(gè)引腳的同時(shí)具有小尺寸。存在滿足以上需求的封裝技術(shù)。這樣的封裝技術(shù)為扇出型半導(dǎo)體封裝件。在扇出型半導(dǎo)體封裝件中，電連接結(jié)構(gòu)重新分布到設(shè)置有半導(dǎo)體芯片的區(qū)域的外部，從而使半導(dǎo)體封裝件在實(shí)現(xiàn)多個(gè)引腳的同時(shí)具有小尺寸。

近來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)高級(jí)智能電話的提高的電特性和有效的空間利用并且應(yīng)用包括不同半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝件的層疊封裝(PoP)，在半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)中需要背側(cè)電路。此外，為了滿足芯片特性的提高和芯片面積的減小，對(duì)背側(cè)電路的線和空間的需求增加。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一方面在于提供一種扇出型半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)，具有精細(xì)節(jié)距的背側(cè)電路可以以高良率應(yīng)用到該扇出型半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：框架，包括一個(gè)或更多個(gè)絕緣層并且具有貫穿所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層的貫穿部；半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述貫穿部中，具有連接墊；連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片的下側(cè)，包括電連接到所述連接墊的重新分布層；第一包封劑，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的背表面以及所述框架的所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層中的最上層的絕緣層的頂表面的第一區(qū)域，并且在所述貫穿部的側(cè)壁與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面之間延伸；以及第二包封劑，覆蓋所述框架的所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層中的所述最上層的絕緣層的所述頂表面的第二區(qū)域，并且與所述第一包封劑的在所述框架上的側(cè)表面接觸。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：框架，具有貫穿部并且具有包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的頂表面，在所述第一區(qū)域中設(shè)置有金屬層，所述第二區(qū)域圍繞所述第一區(qū)域，在所述第二區(qū)域中設(shè)置有布線層；半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述貫穿部中，具有連接墊；連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片的下側(cè)，包括電連接到所述連接墊的重新分布層；第一包封劑，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片和所述金屬層的背表面，并且填充所述貫穿部的至少一部分；以及第二包封劑，覆蓋所述框架的所述頂表面的所述第二區(qū)域和所述布線層的至少一部分，并且延伸以覆蓋所述第一包封劑。所述布線層的厚度大于所述金屬層的厚度。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的以上和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是示意性示出電子裝置系統(tǒng)的示例的框圖；

圖2是示出電子裝置的示例的示意性透視圖；

圖3A和圖3B是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件在被封裝之前和被封裝之后的狀態(tài)的示意性截面圖；

圖4是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件的封裝工藝的示意性截面圖；

圖5是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件安裝在印刷電路板上并且最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性截面圖；