[發(fā)明專利]扇出型半導(dǎo)體封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911171907.3 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111341733A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李昌普;吳俊錫;樸炳律 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/31 | 分類號(hào)： | H01L23/31;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉雪珂;孫麗妍 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 扇出型 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種扇出型半導(dǎo)體封裝件，包括：
框架，包括一個(gè)或更多個(gè)絕緣層并且具有貫穿所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層的貫穿部；
半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述貫穿部中，具有連接墊；
連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片的下側(cè)，包括電連接到所述連接墊的重新分布層；
第一包封劑，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的背表面以及所述框架的所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層中的最上層的絕緣層的頂表面的第一區(qū)域，并且在所述貫穿部的側(cè)壁與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面之間延伸；以及
第二包封劑，覆蓋所述框架的所述一個(gè)或更多個(gè)絕緣層中的所述最上層的絕緣層的所述頂表面的第二區(qū)域，并且與所述第一包封劑的在所述框架上的側(cè)表面接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述框架包括彼此電連接的多個(gè)布線層，并且
在所述多個(gè)布線層中，最上層的布線層設(shè)置在所述最上層的絕緣層的所述第二區(qū)域中并且被所述第二包封劑覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，所述扇出型半導(dǎo)體封裝件還包括金屬層，所述金屬層設(shè)置在所述最上層的絕緣層的所述頂表面的所述第一區(qū)域中，
其中，所述金屬層被所述第一包封劑覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，當(dāng)從上方觀察時(shí)，所述金屬層圍繞所述貫穿部連續(xù)地設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述最上層的布線層的厚度大于所述金屬層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述最上層的布線層包括第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層以與所述金屬層的水平相同的水平設(shè)置在所述最上層的絕緣層的所述頂表面的所述第二區(qū)域中，所述第二導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一導(dǎo)體層上，所述第二導(dǎo)體層的厚度大于所述第一導(dǎo)體層的厚度，
所述金屬層的厚度與所述第一導(dǎo)體層的厚度相同，并且
所述金屬層包括與所述第一導(dǎo)體層的金屬材料相同的金屬材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述金屬層的側(cè)表面從所述第一包封劑暴露并且與所述第二包封劑接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一包封劑和所述第二包封劑包括彼此不同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一包封劑包括非感光電介質(zhì)，并且
所述第二包封劑包括感光電介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，所述扇出型半導(dǎo)體封裝件還包括：
金屬圖案層，設(shè)置在所述第二包封劑上；以及
金屬過孔，貫穿所述第二包封劑并且將所述金屬圖案層電連接到所述最上層的布線層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，所述扇出型半導(dǎo)體封裝件還包括：
第三包封劑，設(shè)置在所述第二包封劑上，覆蓋所述金屬圖案層并且具有使所述金屬圖案層的至少一部分暴露的開口。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一包封劑的覆蓋所述最上層的絕緣層的所述頂表面的所述第一區(qū)域的部分的厚度大于所述最上層的布線層的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二包封劑延伸以覆蓋所述第一包封劑的頂表面。
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