[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911167708.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110931528A | 公開(公告)日: | 2020-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡泉;李松杉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法,該顯示面板的制備方法通過(guò)在刻蝕顯示面板時(shí)先在顯示面板上形成氧化物層和光刻膠層,然后分別在異形切割區(qū)對(duì)氧化物層和光刻膠層進(jìn)行刻蝕和曝光顯影形成第二光刻圖案和第一光刻圖案,由于氧化物層和光刻膠層貼合設(shè)置,使得在形成第二光刻圖案時(shí),可依據(jù)第一光刻圖案的位置刻蝕氧化物層形成第二光刻圖案,從而使得第一光刻圖案與第二光刻圖案重合,進(jìn)而在依次對(duì)薄膜晶體管和襯底進(jìn)行刻蝕時(shí),在異形切割區(qū)的薄膜晶體管和襯底上的圖案的圓心重合或者圖案的中心重合,解決了現(xiàn)有顯示面板的制備方法存在刻蝕形成的過(guò)孔位置不準(zhǔn)確,導(dǎo)致后續(xù)封裝不良的技術(shù)問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種顯示面板的制備方法。
背景技術(shù)
如圖1所示,在現(xiàn)有顯示面板的制備過(guò)程中,對(duì)顯示面板進(jìn)行兩次刻蝕,第一次采用光刻膠保護(hù)后,對(duì)緩沖層和層間絕緣層等無(wú)機(jī)膜層進(jìn)行刻蝕,第二次使用光刻膠保護(hù)后,對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕,但由于兩次刻蝕時(shí),光刻膠需要分別對(duì)位,而兩次對(duì)位不準(zhǔn)確會(huì)導(dǎo)致無(wú)機(jī)膜層和襯底形成的過(guò)孔不是同心圓,從而在后續(xù)過(guò)程中導(dǎo)致封裝不良。
所以,現(xiàn)有顯示面板的制備方法存在刻蝕形成的過(guò)孔位置不準(zhǔn)確,導(dǎo)致后續(xù)封裝不良的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法,用于解決現(xiàn)有顯示面板的制備方法存在刻蝕形成的過(guò)孔位置不準(zhǔn)確,導(dǎo)致后續(xù)封裝不良的技術(shù)問(wèn)題。
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法,該顯示面板的制備方法包括:
提供顯示面板,所述顯示面板包括襯底、薄膜晶體管、平坦化層、發(fā)光層和像素定義層,所述顯示面板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括異形切割區(qū);
在所述像素定義層上形成氧化物層;
在所述氧化物層上形成光刻膠層;
在所述異形切割區(qū)對(duì)所述光刻膠層曝光顯影形成第一光刻圖案;
在對(duì)應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域,對(duì)所述氧化物層刻蝕形成所述第二光刻圖案,所述第一光刻圖案與所述第二光刻圖案相同,且所述第一光刻圖案與所述第二光刻圖案在襯底上的投影重合;
在對(duì)應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域,對(duì)薄膜晶體管進(jìn)行干刻形成第一圖案;
在對(duì)應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域,對(duì)襯底進(jìn)行干刻形成第二圖案;
剝離所述氧化物層和光刻膠層。
在本發(fā)明提供的顯示面板的制備方法中,所述提供所述顯示面板的步驟包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上形成平坦化層,所述平坦化層在異形切割區(qū)形成有第一過(guò)孔;
在所述平坦化層上形成像素定義層;所述像素定義層在異形切割區(qū)形成有第二過(guò)孔,所述第一過(guò)孔在襯底上的投影位于所述第二過(guò)孔內(nèi);
在像素定義層定義出的像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層。
在本發(fā)明提供的顯示面板的制備方法中,所述在所述像素定義層上形成氧化物層的步驟包括:在所述像素定義層上沉積銦鋅氧化物,所述銦鋅氧化物覆蓋在所述像素定義層、發(fā)光層、平坦化層和薄膜晶體管層上形成氧化物層,所述氧化物層與所述像素定義層、平坦化層和薄膜晶體管層的接觸面呈階梯狀。
在本發(fā)明提供的顯示面板的制備方法中,所述在所述異形切割區(qū)對(duì)所述光刻膠層曝光顯影形成第一光刻圖案的步驟包括:
定位第一過(guò)孔的位置;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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