[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911167708.5
• 申請日: 2019-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN110931528A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡泉;李松杉
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

1.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供顯示面板，所述顯示面板包括襯底、薄膜晶體管、平坦化層、發(fā)光層和像素定義層，所述顯示面板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括異形切割區(qū)；

在所述像素定義層上形成氧化物層；

在所述氧化物層上形成光刻膠層；

在所述異形切割區(qū)對所述光刻膠層曝光顯影形成第一光刻圖案；

在對應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域，對所述氧化物層刻蝕形成所述第二光刻圖案，所述第一光刻圖案與所述第二光刻圖案相同，且所述第一光刻圖案與所述第二光刻圖案在襯底上的投影重合；

在對應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域，對薄膜晶體管進(jìn)行干刻形成第一圖案；

在對應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域，對襯底進(jìn)行干刻形成第二圖案；

剝離所述氧化物層和光刻膠層。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述提供所述顯示面板的步驟包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管上形成平坦化層，所述平坦化層在異形切割區(qū)形成有第一過孔；

在所述平坦化層上形成像素定義層；所述像素定義層在異形切割區(qū)形成有第二過孔，所述第一過孔在襯底上的投影位于所述第二過孔內(nèi)；

在像素定義層定義出的像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述在所述像素定義層上形成氧化物層的步驟包括：在所述像素定義層上沉積銦鋅氧化物，所述銦鋅氧化物覆蓋在所述像素定義層、發(fā)光層、平坦化層和薄膜晶體管層上形成氧化物層，所述氧化物層與所述像素定義層、平坦化層和薄膜晶體管層的接觸面呈階梯狀。

4.如權(quán)利要求2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述在所述異形切割區(qū)對所述光刻膠層曝光顯影形成第一光刻圖案的步驟包括：

定位第一過孔的位置；

在對應(yīng)第一過孔的區(qū)域?qū)饪棠z進(jìn)行曝光顯影，使得光刻膠形成第一光刻圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述在對應(yīng)光刻膠層的第一光刻圖案的區(qū)域，對所述氧化物層刻蝕形成所述第二光刻圖案的步驟包括：

定位第一光刻圖案的位置；

在對應(yīng)第一光刻圖案的區(qū)域，對氧化物層進(jìn)行濕刻形成第二光刻圖案。

6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述對薄膜晶體管進(jìn)行干刻形成第一圖案的步驟包括：對薄膜晶體管中的無機(jī)膜層進(jìn)行干刻形成第一圖案，所述薄膜晶體管包括有源層、柵極層、無機(jī)膜層和源漏極層。

7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述對薄膜晶體管中的無機(jī)膜層進(jìn)行干刻形成第一圖案的步驟包括：使用四氟化碳和氧氣對無機(jī)膜層進(jìn)行干刻形成第一圖案。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述對襯底進(jìn)行干刻形成第二圖案的步驟包括：對襯底中的第二柔性層進(jìn)行干刻形成第二圖案，所述襯底包括第一柔性層、無機(jī)層和第二柔性層。

9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述對襯底中的第二柔性層進(jìn)行干刻形成第二圖案的步驟包括：使用氧氣對第二柔性層進(jìn)行干刻形成第二圖案。

10.如權(quán)利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述剝離所述氧化物層和光刻膠層的步驟包括：

將光刻膠層剝離；

對氧化物層進(jìn)行濕刻將氧化物層剝離。