[發明專利]調節裝置、晶圓曝光設備及晶圓邊緣曝光方法

在審

• 申請號: 201911166000.8
• 申請日: 2019-11-25
• 公開（公告）號: CN112835264A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 溫建勝
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本發明涉及一種調節裝置、晶圓曝光設備及晶圓邊緣曝光方法，調節裝置，用于晶圓的邊緣曝光，調節裝置包括：遮光圓盤，遮光圓盤的直徑小于晶圓的直徑；調節模塊，包括環形邊緣部，位于遮光圓盤的外圍；驅動裝置，用于驅動環形邊緣部運動，以調節環形邊緣部與遮光圓盤的中心的間距。上述調節裝置提高了晶圓邊緣曝光速度，大大降低了晶圓邊緣曝光時間，提高了晶圓邊緣曝光效率，從而降低了生產成本。調節裝置能調節大小，使得晶圓邊緣曝光設備能曝光不同尺寸的晶圓，還能調控晶圓邊緣曝光的寬度，擴展了晶圓曝光設備的應用范圍。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種調節裝置、晶圓曝光設備及晶圓邊緣曝光方法。

背景技術

光刻是半導體器件生產制造中的重要工藝，一般的光刻工藝要經歷晶圓表面清洗烘干、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影等工序。光刻膠涂覆后，晶圓邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形，所以需要去除。傳統的采用激光沿晶圓邊緣依次曝光一圈來去除邊緣的光刻膠，花費時間長，效率低。

發明內容

基于此，針對晶圓邊緣曝光效率低的問題，本發明提供一種調節裝置、晶圓曝光設備及晶圓邊緣曝光方法。

本發明提供一種調節裝置，用于晶圓的邊緣曝光，調節裝置包括：遮光圓盤，所述遮光圓盤的直徑小于晶圓的直徑；調節模塊，包括環形邊緣部，位于所述遮光圓盤的外圍；驅動裝置，用于驅動所述環形邊緣部運動，以調節所述環形邊緣部與所述遮光圓盤的中心的間距。

上述調節裝置提高了晶圓邊緣曝光速度，大大降低了晶圓邊緣曝光時間，提高了晶圓邊緣曝光效率，從而降低了生產成本。調節裝置能調節大小，使得晶圓邊緣曝光設備能曝光不同尺寸的晶圓，還能調控晶圓邊緣曝光的寬度，擴展了晶圓曝光設備的應用范圍。

在其中一個實施例中，所述調節模塊還包括連桿，所述連桿一端與所述環形邊緣部相連接，另一端與所述驅動裝置相連接。

在其中一個實施例中，所述調節模塊包括若干個所述環形邊緣部及若干個所述連桿，所述連桿與所述環形邊緣部一一對應連接；所述驅動裝置包括：主動齒輪，位于所述遮光圓盤上；被動齒輪，位于所述遮光圓盤上，所述被動齒輪的中心與所述遮光圓盤的中心相重合；所述被動齒輪與所述主動齒輪咬合；所述被動齒輪上設有若干個弧形滑槽，若干個所述弧形滑槽以所述被動齒輪的中心為中心呈輻射狀分布；所述調節模塊還包括若干個凸柱，所述凸柱與所述連桿及所述弧形滑槽一一對應設置，且所述凸柱的底部固定于所述連接桿的上表面，所述凸部的頂部至少延伸至所述弧形滑槽內。

在其中一個實施例中，相鄰的所述環形邊緣部位于不同的水平面上，且相鄰的所述環形邊緣部具有部分上下重疊的區域。

在其中一個實施例中，所述遮光圓盤包括若干個扇形葉片，各所述扇形葉片的側壁均設有長條狀凹槽；所述連桿位于所述長條狀凹槽內。

在其中一個實施例中，所述環形邊緣部與所述遮光圓盤的外邊緣具有間距；所述調節裝置還包括環形邊緣凸起部，所述環形邊緣凸起部位于所述遮光圓盤的外圍，且所述環形邊緣部與所述環形邊緣凸起部具有部分上下重疊的區域。

在其中一個實施例中，所述環形邊緣部具有至少大于3mm的寬度。

本發明還提供一種晶圓邊緣曝光設備，包括：光源模塊；所述調節裝置，位于所述光源模塊的下方，以用于調節晶圓邊緣區域的曝光。

上述晶圓邊緣曝光設備提高了晶圓邊緣曝光速度，大大降低了晶圓邊緣曝光時間，提高了晶圓邊緣曝光效率，從而降低了生產成本。

在其中一個實施例中，所述光源模塊包括光源和位于所述光源下方的透鏡。

在其中一個實施例中，所述透鏡為凸透鏡。

在其中一個實施例中，所述光源包括環形光源，所述透鏡包括環形透鏡。