[發明專利]OLED顯示裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 201911164985.0
• 申請日: 2019-11-25
• 公開（公告）號: CN110838511A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 余明爵
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

一種OLED顯示裝置，包括基板；色阻層，位于所述基板上；緩沖層，位于所述基板上并覆蓋所述色阻層；晶體管，包含柵極和輸出極，所述柵極包含透明導電層以及柵極金屬層；像素電極，連接所述輸出極；以及存儲電容，具有第一透明電極以及第二透明電極；其中，所述像素電極為所述二透明電極，所述第一透明電極投影于所述基板的面積大于或等于所述色阻層投影于所述基板的面積。本發明將儲存電容上下電極換成透明材料,電容區使用柵極絕緣層增加電容值，解決了存儲電容過小的技術問題，同時避免光照引起的器件不穩定。

技術領域

本發明涉及顯示技術等領域，尤指一種OLED顯示裝置及其形成方法。

背景技術

一般有源矩陣有機發光二極體(AMOLED)面板驅動電路的存儲電容區上下電極都是金屬,因此存儲電容電容是不透光的,減少了像素的發光面積。現有技術提出一個新方案,在驅動晶體管區下方形成金屬/透明導電層的結構用于遮光,在存儲電容區域形成透明導電層作為下電極,電容上電極使用透明導電層，可增加開口率。但此設計緩沖層太厚時會導致存儲電容過小,另外遮光層雖然可阻擋入射光,但還是有內部反射光線影響到顯示器件。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種OLED顯示裝置及其形成方法，以解決現有技術問題。

本發明的技術方案提供一種OLED顯示裝置，包括：基板；色阻層，位于所述基板上；緩沖層，位于所述基板上并覆蓋所述色阻層；晶體管，包含柵極和輸出極，所述柵極包含透明導電層以及柵極金屬層；像素電極，連接所述輸出極；以及存儲電容，具有第一透明電極以及第二透明電極；其中，所述像素電極為所述第二透明電極，所述第一透明電極投影于所述基板的面積大于或等于所述色阻層投影于所述基板的面積。

依據本發明的實施例，所述OLED顯示裝置還包括遮光層，所述遮光層位于所述基板上，所述緩沖層覆蓋所述遮光層。

依據本發明的實施例，存儲電容還包括屏蔽層和絕緣層，所述屏蔽層設置于所述緩沖層上。所述絕緣層位于所述第一透明電極以及所述屏蔽層之間。

依據本發明的實施例，所述晶體管還包括：有源層，位于所述緩沖層上；

柵極絕緣層，位于所述有源層上；其中所述有源層和所述屏蔽層為非晶氧化物半導體。

依據本發明的實施例，所述透明導電層、所述第一透明電極以及所述第二透明電極為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或兩者組合。

本發明的技術方案還提供一種OLED顯示裝置的形成方法，包括在基板上形成色阻層；在所述基板上形成緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述色阻層；在所述緩沖層上形成晶體管的柵極以及存儲電容的第一透明電極，在所述緩沖層上依次沉積透明導電材料以及金屬層，光刻所述透明導電材料以及所述金屬層以形成晶體管的柵極以及存儲電容的第一透明電極，所述晶體管的柵極包括透明導電層和柵極金屬層，其中所述第一透明電極投影于所述基板的面積大于或等于所述色阻層投影于所述基板的面積；以及在所述晶體管上形成第二透明導電層作為所述存儲電容的第二透明電極和像素電極。

依據本發明的實施例，所述在所述基板上形成緩沖層的步驟之前，還包括：在所述基板上形成遮光層。

依據本發明的實施例，以半色調掩膜光刻所述透明導電材料以及所述金屬層以形成所述晶體管的所述柵極以及所述存儲電容的所述第一透明電極。

依據本發明的實施例，其另包括：沉積非晶氧化物半導體于所述緩沖層上；光刻所述非晶氧化物半導體以形成所述晶體管的有源層和所述存儲電容的屏蔽層；依次沉積絕緣材料、所述透明導電材料以及所述金屬層于所述柵極絕緣層和所述存儲電容的所述絕緣層上；以半色調掩膜對涂布于所述金屬層上的光阻進行曝光；蝕刻所述透明導電材料以及所述金屬層以形成所述晶體管的所述柵極以及所述存儲電容的所述第一透明電極；以及蝕刻所述絕緣材料以形成所述晶體管的柵極絕緣層和所述存儲電容的絕緣層。